|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1998 |
| 1. |
С. В. Аверин, Ю. В. Гуляев, М. Илегемс, Р. Сашо, “Импульсный отклик МПМ-фотодиода при большой энергии оптического излучения”, Квантовая электроника, 25:2 (1998), 183–186  [S. V. Averin, Yu. V. Gulyaev, M. Ilegems, R. Sachot, “Pulsed response of an MSM photodiode at high optical radiation energies”, Quantum Electron., 28:2 (1998), 175–178  ] |
1
|
|
1996 |
| 2. |
С. В. Аверин, Ю. В. Гуляев, М. Д. Дмитриев, В. Т. Потапов, Р. Сашо, “Быстродействующие фотодетекторы с большой площадью активной области на основе полупроводниковых структур с барьером Шоттки”, Квантовая электроника, 23:3 (1996), 284–286 [S. V. Averin, Yu. V. Gulyaev, M. D. Dmitriev, V. T. Potapov, R. Sachot, “Fast-response photodetectors with a large active area, based on Schottky-barrier semiconductor structures”, Quantum Electron., 26:3 (1996), 278–280 ] |
2
|
|
1995 |
| 3. |
С. В. Аверин, Р. Сашо, И. Хуги, М. Дефэйс, М. Илегемс, “Импульсный отклик фотодиодных структур Ga<sub>0.47</sub>In<sub>0.53</sub>As с субмикронным зазором между электродами встречно-штыревой системы контактов”, Квантовая электроника, 22:11 (1995), 1149–1154 [S. V. Averin, R. Sachot, J. Hugi, M. de Fays, M. Ilegems, “Pulsed response of Ga<sub>0.47</sub>In<sub>0.53</sub>As photodiode structures with a submicron gap between interdigital electrodes”, Quantum Electron., 25:11 (1995), 1115–1119 ] |
|
Обратная связь: