Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 3, страницы 284–286 (Mi qe647)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Быстродействующие фотодетекторы с большой площадью активной области на основе полупроводниковых структур с барьером Шоттки

С. В. Аверинa, Ю. В. Гуляевa, М. Д. Дмитриевb, В. Т. Потаповa, Р. Сашоc

a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b НИИ "Сапфир"
c Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Federal Institute of Technology, Lausanne, Switzerland
Аннотация: В рамках двумерной модели исследуются характеристики импульсного отклика и эффективности МПМ (металл – полупроводник – металл)-фотодиодных структур на GaAs с размером активной области 400 × 400 мкм и межконтактным расстоянием 10 мкм. Увеличение межэлектродного зазора обеспечивает достаточно однородное распределение электрического поля в активной области МПМ-диода. При этом емкость встречно-штыревой системы контактов на основе барьера Шоттки существенно ниже емкости равного ей по площади pin-фотодетектора и практически не накладывает ограничений на характеристики импульсного отклика МПМ-диода. Расчетное быстродействие исследуемой фотодиодной структуры (110 пс по полувысоте) подтверждено в эксперименте.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1996, Volume 26, Issue 3, Pages 278–280
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1996v026n03ABEH000647
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.79.Pw, 73.40.Sx, 85.60.Gz


Образец цитирования: С. В. Аверин, Ю. В. Гуляев, М. Д. Дмитриев, В. Т. Потапов, Р. Сашо, “Быстродействующие фотодетекторы с большой площадью активной области на основе полупроводниковых структур с барьером Шоттки”, Квантовая электроника, 23:3 (1996), 284–286 [Quantum Electron., 26:3 (1996), 278–280]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe647
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i3/p284
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024