|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
П. А. Дементьев, Е. В. Дементьева, Т. В. Львова, В. Л. Берковиц, М. В. Лебедев, “Оптические и электронные свойства пассивированных поверхностей InP(001)”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 644–648   ; P. A. Dementev, E. V. Dementevа, T. V. L'vova, V. L. Berkovits, M. V. Lebedev, “Optical and electronic properties of passivated InP(001) surfaces”, Semiconductors, 55:8 (2021), 667–671 |
2
|
|
2013 |
| 2. |
В. Л. Берковиц, В. А. Кособукин, В. П. Улин, А. Б. Гордеева, В. Н. Петров, “Спектроскопия анизотропного отражения света от металлических
нанокластеров, сформированных на поверхности полупроводника”, Письма в ЖЭТФ, 98:10 (2013), 687–692 ; V. L. Berkovits, V. A. Kosobukin, V. P. Ulin, A. B. Gordeeva, V. N. Petrov, “Reflectance anisotropy spectroscopy of metal nanoclusters formed on semiconductor surface”, JETP Letters, 98:10 (2013), 614–618   |
8
|
|
1992 |
| 3. |
В. Л. Берковиц, А. О. Гусев, Т. В. Львова, “Анизотропия оптического отражения арсенида галлия в области края
фундаментального поглощения”, Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992), 1264–1268 |
|
1991 |
| 4. |
В. Л. Берковиц, В. Н. Бессолов, Т. В. Львова, Е. Б. Новиков, В. И. Сафаров, Р. В. Хасиева, Б. В. Царенков, “Потенциальные барьеры на поверхности $n$- и $p$-GaAs (100): кинетика
движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1406–1413 |
| 5. |
В. Л. Берковиц, Л. Ф. Иванцов, И. В. Макаренко, Т. В. Львова, Р. В. Хасиева, В. И. Сафаров, “Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности арсенида
галлия, пассивированной в водном растворе Na$_{2}$S”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 379–384 |
|
1990 |
| 6. |
В. Л. Берковиц, Т. В. Львова, Р. В. Хасиева, “Изгиб зон в арсениде галлия при формировании омического контакта
(омические исследования)”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1031–1037 |
| 7. |
В. Л. Берковиц, Ю. А. Гольдберг, Т. В. Львова, Е. А. Поссе, Р. В. Хасиева, “Влияние приповерхностного электрического поля на анизотропию
оптического отарежения поверхности (110) арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 353–358 |
|
1988 |
| 8. |
В. Л. Берковиц, В. А. Киселев, Т. А. Минашвили, В. И. Сафаров, “Оптическое исследование закрепления уровня Ферми
на поверхности (110)
полупроводниковых соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 66–71 |
|
1987 |
| 9. |
В. Л. Берковиц, Л. Ф. Иванцов, И. В. Макаренко, Т. А. Минашвили, В. И. Сафаров, “Спектры оптических переходов между собственными электронными
состояниями чистой поверхности (110) соединений
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 433–436 |
| 10. |
В. Л. Берковиц, В. А. Киселев, Т. А. Минашвили, “Окисление чистой поверхности $Ga\,As(110)$ и закрепление уровня Ферми”, Письма в ЖТФ, 13:13 (1987), 800–804 |
| 11. |
В. Л. Берковиц, В. А. Киселев, Т. А. Минашвили, В. И. Сафаров, “Оптическое обнаружение низкотемпературной физи- и хемисорбциии кислорода на чистой поверхности $Ga\,As (110)$”, Письма в ЖТФ, 13:12 (1987), 709–713 |
|
1986 |
| 12. |
В. Л. Берковиц, И. В. Макаренко, Т. А. Минашвили, В. И. Сафаров, “Анизотропия оптического отражения кубических полупроводников,
обусловленная поверхностным изгибом зон”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1037–1041 |
|
Обратная связь: