Оптические и электронные свойства пассивированных поверхностей InP(001)

Исследовано влияние химической пассивации в растворах сульфида аммония (NH$_{4}$)$_{2}$S на оптические и электронные свойства поверхности $n$-InP(001). Показано, что обработка в 4%-м водном растворе (NH$_{4}$)$_{2}$S приводит к уменьшению приповерхностного поля и локализованных в этой области зарядов в 2 раза. Обработка в 4%-м спиртовом растворе (NH$_{4}$)$_{2}$S приводит к уменьшению этих параметров в 3 раза, и, кроме того, в 3 раза уменьшается барьерная фотоэдс.