|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1987 |
1. |
Т. Т. Басиев, В. Н. Войцеховский, П. Г. Зверев, Ф. В. Карпушко, А. В. Любимов, С. Б. Миров, В. П. Морозов, И. В. Мочалов, А. А. Павлюк, Г. В. Синицын, В. Э. Якобсон, “Преобразование перестраиваемого излучения лазера на кристалле LiF с F<sub>2</sub><sup>–</sup>-ЦО путем генерации ВКР в кристаллах Ba(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub> и KGd(WO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>”, Квантовая электроника, 14:12 (1987), 2452–2454 [T. T. Basiev, V. N. Voǐtsekhovskiǐ, P. G. Zverev, F. V. Karpushko, A. V. Lyubimov, S. B. Mirov, V. P. Morozov, I. V. Mochalov, A. A. Pavlyuk, G. V. Sinitsyn, V. E. Yakobson, “Conversion of tunable radiation from a laser utilizing an LiF crystal containing F<sub>2</sub><sup>–</sup> color centers by stimulated Raman scattering in Ba(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub> and KGd(WO<sub>4</sub>)<sub>2</sub> crystals”, Sov J Quantum Electron, 17:12 (1987), 1560–1561 ] |
45
|
|
1986 |
2. |
Н. А. Иванов, Е. Д. Исянова, Ф. В. Карпушко, Б. Д. Лобанов, Н. Т. Максимова, А. М. Проворов, Н. А. Саскевич, Г. В. Синицын, В. М. Хулугуров, А. Г. Шнейдер, А. С. Ясюкевич, “Лазер с ламповой накачкой на кристалле LiF со стабильными F<sub>2</sub><sup>+</sup>-центрами окраски”, Квантовая электроника, 13:11 (1986), 2328–2330 [N. A. Ivanov, E. D. Isyanova, F. V. Karpushko, B. D. Lobanov, N. T. Maksimova, A. M. Provorov, N. A. Saskevich, G. V. Sinitsyn, V. M. Khulugurov, A. G. Shneǐder, A. S. Yasukevich, “Flashlamp-pumped LiF crystal laser with stable F<sub>2</sub><sup>+</sup> color centers”, Sov J Quantum Electron, 16:11 (1986), 1536–1538 ] |
3
|
|
1985 |
3. |
С. П. Апанасевич, Ф. В. Карпушко, Г. В. Синицын, “Пространственный гистерезис и волны переключения в тонкопленочных полупроводниковых интеферометрах”, Квантовая электроника, 12:2 (1985), 387–390 [S. P. Apanasevich, F. V. Karpushko, G. V. Sinitsyn, “Spatial hysteresis and switching waves in thin-film semiconductor interferometers”, Sov J Quantum Electron, 15:2 (1985), 251–253 ] |
3
|
|
1984 |
4. |
С. П. Апанасевич, Ф. В. Карпушко, Г. В. Синицын, “Быстродействие бистабильных устройств на основе напыленных тонкопленочных интерферометров”, Квантовая электроника, 11:6 (1984), 1288–1291 [S. P. Apanasevich, F. V. Karpushko, G. V. Sinitsyn, “Response time of bistable devices based on evaporated thin-film interferometers”, Sov J Quantum Electron, 14:6 (1984), 873–874 ] |
12
|
|
1983 |
5. |
Т. Т. Басиев, В. С. Бураков, Ф. В. Карпушко, Д. В. Ковалев, С. Б. Миров, В. П. Морозов, A. М. Прохоров, Г. В. Синицын, А. П. Шкадаревич, “Генерационные характеристики лазеров на кристаллах LiF:$F_2^-$ при мощном возбуждении”, Квантовая электроника, 10:9 (1983), 1919–1922 [T. T. Basiev, V. S. Burakov, F. V. Karpushko, D. V. Kovalev, S. B. Mirov, V. P. Morozov, A. M. Prokhorov, G. V. Sinitsyn, A. P. Shkadarevich, “Output characteristics of strongly excited LiF:$F_2^-$ crystal lasers”, Sov J Quantum Electron, 13:9 (1983), 1276–1278 ] |
6
|
|
1979 |
6. |
Ф. В. Карпушко, Г. В. Синицын, “Переключение спектра генерации лазера внешним оптическим
сигналом”, Квантовая электроника, 6:4 (1979), 872–875 [F. V. Karpushko, G. V. Sinitsyn, “Switching of a laser emission spectrum by an external optical signal”, Sov J Quantum Electron, 9:4 (1979), 520–521] |
1
|
|
1978 |
7. |
Ф. В. Карпушко, Г. В. Синицын, “Особенности метода внутрирезонаторной спектроскопии с использованием свип-лазеров на красителях”, Квантовая электроника, 5:12 (1978), 2650–2654 [F. V. Karpushko, G. V. Sinitsyn, “Characteristics of intracavity spectroscopy utilizing sweep dye lasers”, Sov J Quantum Electron, 8:12 (1978), 1497–1499] |
1
|
|