Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 9, страницы 1919–1922 (Mi qe4698)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Краткие сообщения

Генерационные характеристики лазеров на кристаллах LiF:$F_2^-$ при мощном возбуждении

Т. Т. Басиев, В. С. Бураков, Ф. В. Карпушко, Д. В. Ковалев, С. Б. Миров, В. П. Морозов, A. М. Прохоров, Г. В. Синицын, А. П. Шкадаревич

Институт физики АН БССР, Минск
PDF полного текста (674 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Исследованы энергетические характеристики генерации и эффективность преобразования излучения накачки в лазерах на LiF:$F_2^-$ при плотностях мощности возбуждения до 200 МВт/см$^2$. Установлено,что соответствующие зависимости имеют максимумы. Это позволило оптимизировать схемы лазеров по выходным параметрам. Энергия генерации лазера на LiF:$F_2^-$ с неселективным резонатором достигает 0,225 Дж при эффективности преобразования энергии возбуждения 38 %. Представлены также результаты предварительных экспериментов по перестройке мощного (энергия свыше 0,1 Дж) излучения лазера на LiF:$F_2^-$ и его преобразования во вторую гармонику.
Поступила в редакцию: 22.11.1982
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, Volume 13, Issue 9, Pages 1276–1278
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1983v013n09ABEH004698
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.2
PACS: 42.55.Rz
Образец цитирования: Т. Т. Басиев, В. С. Бураков, Ф. В. Карпушко, Д. В. Ковалев, С. Б. Миров, В. П. Морозов, A. М. Прохоров, Г. В. Синицын, А. П. Шкадаревич, “Генерационные характеристики лазеров на кристаллах LiF:$F_2^-$ при мощном возбуждении”, Квантовая электроника, 10:9 (1983), 1919–1922 [Sov J Quantum Electron, 13:9 (1983), 1276–1278]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BasBurKar83}
\by Т.~Т.~Басиев, В.~С.~Бураков, Ф.~В.~Карпушко, Д.~В.~Ковалев, С.~Б.~Миров, В.~П.~Морозов, A.~М.~Прохоров, Г.~В.~Синицын, А.~П.~Шкадаревич
\paper Генерационные характеристики лазеров на кристаллах LiF:$F_2^-$ при мощном возбуждении
\jour Квантовая электроника
\yr 1983
\vol 10
\issue 9
\pages 1919--1922
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe4698}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1983
\vol 13
\issue 9
\pages 1276--1278
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1983v013n09ABEH004698}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1983RN64300039}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4698
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i9/p1919
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:205
    PDF полного текста:83
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024