|
Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 9, страницы 1919–1922
(Mi qe4698)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Краткие сообщения
Генерационные характеристики лазеров на кристаллах LiF:$F_2^-$ при мощном возбуждении
Т. Т. Басиев, В. С. Бураков, Ф. В. Карпушко, Д. В. Ковалев, С. Б. Миров, В. П. Морозов, A. М. Прохоров, Г. В. Синицын, А. П. Шкадаревич Институт физики АН БССР, Минск
Аннотация:
Исследованы энергетические характеристики генерации и эффективность преобразования излучения накачки в лазерах на LiF:$F_2^-$ при плотностях мощности возбуждения до 200 МВт/см$^2$. Установлено,что соответствующие зависимости имеют максимумы. Это позволило оптимизировать схемы лазеров по выходным параметрам. Энергия генерации лазера на LiF:$F_2^-$ с неселективным резонатором достигает 0,225 Дж при эффективности преобразования энергии возбуждения 38 %. Представлены также результаты предварительных экспериментов по перестройке мощного (энергия свыше 0,1 Дж) излучения лазера на LiF:$F_2^-$ и его преобразования во вторую гармонику.
Поступила в редакцию: 22.11.1982
Образец цитирования:
Т. Т. Басиев, В. С. Бураков, Ф. В. Карпушко, Д. В. Ковалев, С. Б. Миров, В. П. Морозов, A. М. Прохоров, Г. В. Синицын, А. П. Шкадаревич, “Генерационные характеристики лазеров на кристаллах LiF:$F_2^-$ при мощном возбуждении”, Квантовая электроника, 10:9 (1983), 1919–1922 [Sov J Quantum Electron, 13:9 (1983), 1276–1278]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4698 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i9/p1919
|
|