|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
О. Прохазкова, И. Новотный, Ф. Шробар, “Двухэтапная жидкофазная эпитаксия для изготовления зарощенных гетероструктур InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2270–2272  [O. Procházková, J. Novotný, F. Šrobár, “Two-stage liquid phase epitaxy for fabrication of buried InGaAsP/InP heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1420–1422  ] |
1
|
| 2. |
И. Новотный, О. Прохазкова, Ф. Шробар, И. Зелинка, “Высокоэффективные InGaAsP/lnP-гетероструктуры диапазона 1,3 мкм, полученные «двухфазным» жидкофазным методом”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2262–2265 [J. Novotný, O. Procházková, F. Šrobár, J. Zelinka, “High-performance 1.3-μm InGaAsP/InP heterostructures formed by two-phase liquid epitaxy”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1415–1417 ] |
|
Обратная связь: