|
Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2270–2272
(Mi qe12632)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87
Двухэтапная жидкофазная эпитаксия для изготовления зарощенных гетероструктур InGaAsP/InP
О. Прохазкова, И. Новотный, Ф. Шробар Институт радиотехники и электроники АН ЧССР, Прага
Аннотация:
Описаны технология и некоторые физические свойства зарощенных гетеролазеров на 1,3 мкм. Мезаполоски шириной 8 мкм образованы на гетероэпитаксиальних пластинах, приготовленных в жидкофазной эпитаксии (630°C). Затем они зарощены во втором, низкотемпературном процессе (590°C). Пороговый ток составлял примерно 100 мА, и температурная чувствительность около 60 K. Наблюдался также, но нерегулярно, одномодовый режим генерации.
Образец цитирования:
О. Прохазкова, И. Новотный, Ф. Шробар, “Двухэтапная жидкофазная эпитаксия для изготовления зарощенных гетероструктур InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2270–2272 [Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1420–1422]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12632 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i11/p2270
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 135 | PDF полного текста: | 58 | Первая страница: | 1 |
|