|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
| 1. |
С. Ю. Вербин, С. А. Пермогоров, А. Н. Резницкий, Св. А. Пендюр, О. Н. Таленский, “Экситонное поглощение твердых растворов CdS$_{1-x}$Se$_{x}$”, Физика твердого тела, 31:1 (1989), 84–88   |
|
1988 |
| 2. |
В. В. Ананченко, Ю. В. Власенко, Н. А. Онищенко, С. В. Полищук, А. В. Столяренко, С. А. Пендюр, О. Н. Таленский, “Абсорбционная нелинейная спектроскопия монокристаллов CdSe”, Квантовая электроника, 15:9 (1988), 1915–1918 [V. V. Ananchenko, Yu. V. Vlasenko, N. A. Onishchenko, S. V. Polishchuk, A. V. Stolyarenko, S. A. Pendyur, O. N. Talenskiǐ, “Nonlinear absorption spectroscopy of CdSe single crystals”, Sov J Quantum Electron, 18:9 (1988), 1195–1198 ] |
| 3. |
А. М. Камуз, Е. В. Орешко, С. В. Свечников, О. Н. Стрильчук, О. Н. Таленский, Св. А. Пендюр, “Возникновение периодических неоднородностей показателя преломления в начальной стадии деградации лазеров на пластинчатых монокристаллах полупроводникового типа А<sup>2</sup>В<sup>6</sup>”, Квантовая электроника, 15:5 (1988), 963–965 [A. M. Kamuz, E. V. Oreshko, S. V. Svechnikov, O. N. Stril'chuk, O. N. Talenskiǐ, S. A. Pendyur, “Appearance of periodic inhomogeneities of the refractive index during the initial stage of degradation of lasers made from platelet semiconductor single crystals of II-VI compounds”, Sov J Quantum Electron, 18:5 (1988), 620–621 ] |
|
1987 |
| 4. |
В. И. Решетов, А. Э. Армеева, Г. В. Бушуева, О. Н. Таленский, С. А. Пендюр, А. Н. Печенов, Н. А. Тяпунина, “Движение дислокаций в CdS, стимулированное лазерным излучением”, Физика твердого тела, 29:4 (1987), 1209–1211 |
|
1983 |
| 5. |
И. В. Василищева, В. М. Зубков, Р. М. Саввина, Г. Г. Скроцкая, Н. Ф. Стародубцев, О. Н. Таленский, B. Н. Полубояров, В. А. Труфан, “Лазерный отжиг кристаллов сульфида кадмия”, Квантовая электроника, 10:10 (1983), 2109–2110 [I. V. Vasilishcheva, V. M. Zubkov, R. M. Savvina, G. G. Skrotskaya, N. F. Starodubtsev, O. N. Talenskiǐ, V. N. Poluboyarov, V. A. Trufan, “Laser annealing of cadmium sulfide crystals”, Sov J Quantum Electron, 13:10 (1983), 1407–1408 ] |
|
1978 |
| 6. |
В. С. Петухов, А. Н. Печенов, О. Н. Таленский, М. М. Халимон, “Полупроводниковый лазер на волноводной структуре ZnSe–ZnS с возбуждением электронным пучком”, Квантовая электроника, 5:3 (1978), 682–684 [V. S. Petukhov, A. N. Pechenov, O. N. Talenskiǐ, M. M. Khalimon, “Electron-beam-excited ZnSe–ZnS semiconductor waveguide laser”, Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 400–401] |
1
|
| 7. |
Л. Н. Борович, А. В. Дуденкова, В. М. Леонов, Ю. М. Попов, О. Н. Таленский, П. В. Шапкин, “Исследование зависимости излучательных свойств монокристаллов сульфида кадмия от концентрации
равновесных носителей тока”, Квантовая электроника, 5:3 (1978), 642–646 [L. I. Borovich, A. V. Dudenkova, V. M. Leonov, Yu. M. Popov, O. N. Talenskiǐ, P. V. Shapkin, “Investigation of the dependence of the radiative properties of cadmium sulfide single crystals on the equilibrium carrier density”, Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 369–371] |
| 8. |
В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский, “Излучательные характеристики одноканального инжекционного лазера на основе GaAs”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 211–214 [V. S. Kargapol'tsev, E. P. Malygin, V. K. Malyshev, V. I. Molochev, K. N. Narzullaev, V. V. Nikitin, A. S. Semenov, O. N. Talenskiǐ, “Radiative characteristics of a single-channel GaAs injection laser”, Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 130–132] |
|
1977 |
| 9. |
Ю. А. Быковский, Ю. П. Захаров, А. В. Маковкин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, В. Л. Смирнов, О. Н. Таленский, А. В. Шмалько, “Фунциональные элементы интегрально-оптических схем на основе эпитаксиальных GaAlAs–GaAs-гетероструктур”, Квантовая электроника, 4:9 (1977), 2007–2009 [Yu. A. Bykovskiǐ, Yu. P. Zakharov, A. V. Makovkin, V. K. Malyshev, V. I. Molochev, V. L. Smirnov, O. N. Talenskiǐ, A. V. Shmal'ko, “Integrated-optics functional elements based on epitaxial GaAlAs-GaAs heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 7:9 (1977), 1144–1145] |
1
|
| 10. |
Н. Г. Басов, В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский, “Одночастотный инжекционный полупроводниковый лазер на основе GaAs”, Квантовая электроника, 4:8 (1977), 1815–1816 [N. G. Basov, V. S. Kargapol'tsev, E. P. Malygin, V. K. Malyshev, V. I. Molochev, K. N. Narzullaev, V. V. Nikitin, A. S. Semenov, O. N. Talenskiǐ, “Single-frequency GaAs injection laser”, Sov J Quantum Electron, 7:8 (1977), 1034] |
| 11. |
И. В. Акимова, Л. Н. Борович, И. П. Василищева, А. В. Дуденкова, А. В. Егоров, А. С. Насибов, О. Н. Таленский, Ю. М. Попов, П. В. Шапкин, “Определение глубины нарушенного слоя в лазерных экранах, изготовленных из монокристаллов сульфида кадмия”, Квантовая электроника, 4:6 (1977), 1357–1359 [I. V. Akimova, L. N. Borovich, I. P. Vasilishcheva, A. V. Dudenkova, A. V. Egorov, A. S. Nasibov, O. N. Talenskiǐ, Yu. M. Popov, P. V. Shapkin, “Determination of the depth of the disturbed layer in laser screens made of cadmium sulfide single crystals”, Sov J Quantum Electron, 7:6 (1977), 765–767] |
3
|
| 12. |
В. И. Козловский, А. С. Насибов, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, О. Н. Таленский, П. В. Шапкин, “Лазерные экраны из монокристаллических слитков CdS, CdS<sub>x</sub>Se<sub>1–x</sub>, ZnSe”, Квантовая электроника, 4:2 (1977), 351–354 [V. I. Kozlovskiǐ, A. S. Nasibov, A. N. Pechenov, Yu. M. Popov, O. N. Talenskiǐ, P. V. Shapkin, “Laser screens made of single-crystal CdS, CdS<sub>x</sub>Se<sub>1–x</sub>, and ZnSe ingots”, Sov J Quantum Electron, 7:2 (1977), 194–196] |
8
|
|
Обратная связь: