|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
С. Ю. Карпов, Г. де Ла Круз, В. Е. Мячин, А. Ю. Островский, Ю. В. Погорельский, И. Ю. Русанович, И. А. Соколов, Н. А. Стругов, А. Л. Тер-Мартиросян, Г. А. Фокин, В. П. Чалый, А. П. Шкурко, М. И. Этинберг, “Линейки мощных полупроводниковых лазеров, изготовленных методом
молекулярно-лучевой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 17:7 (1991), 31–34   |
|
1989 |
| 2. |
Д. З. Гарбузов, А. В. Гулаков, А. В. Кочергин, Н. А. Стругов, В. П. Чалый, “Система диодной накачки АИГ${-}$Nd$^{3+}$
на основе InGaAsP/GaAs структур
($\text{Р}_{1.06}=320$ мВт, кпд 12%)”, Письма в ЖТФ, 15:24 (1989), 15–21 |
| 3. |
И. Н. Арсентьев, Г. Р. Бежанишвили, П. П. Буинов, Л. С. Вавилова, Н. А. Стругов, В. П. Чалый, А. П. Шкурко, “Спектральные характеристики
InGAAsP/GaAs $\langle111\rangle$
ЖФЭ-лазеров ($\lambda=0.8$ мкм), предназначенных
для накачки YAG : Nd$^{3+}$”, Письма в ЖТФ, 15:15 (1989), 45–49 |
| 4. |
Д. З. Гарбузов, В. В. Дедыш, А. В. Кочергин, Н. В. Кравцов, О. Е. Наний, В. Е. Надточеев, Н. А. Стругов, В. В. Фирсов, А. Н. Шелаев, “Гранатовый чип-лазер с накачкой InGaAsP/GaAs-лазером”, Квантовая электроника, 16:12 (1989), 2423–2425 [D. Z. Garbuzov, V. V. Dedysh, A. V. Kochergin, N. V. Kravtsov, O. E. Nanii, V. E. Nadtocheev, N. A. Strugov, V. V. Firsov, A. N. Shelaev, “Garnet chip laser pumped by an InGaAsP/GaAs laser”, Sov J Quantum Electron, 19:12 (1989), 1557–1558 ] |
8
|
|
1988 |
| 5. |
Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, С. Н. Жигулин, И. А. Кузьмин, Б. Б. Орлов, М. А. Синицын, Н. А. Стругов, В. Е. Токранов, Б. С. Явич, “Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные
МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2111–2117 |
| 6. |
Ж. И. Алфрове, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, Т. А. Налет, Н. А. Стругов, А. В. Тикунов, “Квантово-размерные
InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.86\div0.78}$ мкм) лазеры раздельного ограничения
(${J_{\text{п}}=100\,\text{А/см}^{2}}$, КПД${}=59$%)”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1031–1034 |
| 7. |
Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, Б. Е. Саморуков, Н. А. Стругов, “Свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных
редкоземельными элементами”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 147–150 |
| 8. |
Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, А. Б. Комиссаров, А. В. Кочергин, Т. А. Налет, Н. А. Стругов, “Мощный непрерывный
InGaAsP/GaAs гетеролазер
с диэлектрическим зеркалом
($I_{\text{nop}}=100\,\text{А/см}^{2}$, $P=1.1$ Вт, КПД = 66%,
$T=10^{\circ}$С)”, Письма в ЖТФ, 14:8 (1988), 699–702 |
|
1987 |
| 9. |
Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, Н. Ю. Давидюк, С. В. Зайцев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, Н. А. Стругов, И. С. Тарасов, “Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ ($\lambda=1.3$ мкм) лазер раздельного ограничения с мощностью 270 мВт ($T=20^{\circ}$C, $I=900$ мА, внешнее диэлектрическое зеркало)”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 552–557 |
| 10. |
Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, Н. Д. Ильинская, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, Н. А. Стругов, И. С. Тарасов, “Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 535–537 |
| 11. |
Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, Н. А. Стругов, А. В. Тикунов, Е. И. Чудинова, “Видимые $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии
($\lambda=0.65\div0.67$ мкм, $I_n=3\div0.8\,\text{кА}/\text{см}^{2}$; $P=5$ мВт, $\lambda=0.665$ мкм, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 13:6 (1987), 372–374 |
|
Обратная связь: