Д. З. Гарбузов, В. В. Дедыш, А. В. Кочергин, Н. В. Кравцов, О. Е. Наний, В. Е. Надточеев, Н. А. Стругов, В. В. Фирсов, А. Н. Шелаев, “Гранатовый чип-лазер с накачкой InGaAsP/GaAs-лазером”, Квантовая электроника, 16:12 (1989), 2423–2425 [Sov J Quantum Electron, 19:12 (1989), 1557

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 12, страницы 2423–2425 (Mi qe9820)

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Лазеры и усилители

Гранатовый чип-лазер с накачкой InGaAsP/GaAs-лазером

Д. З. Гарбузов^ab, В. В. Дедыш^ab, А. В. Кочергин^ab, Н. В. Кравцов^ab, О. Е. Наний^ab, В. Е. Надточеев^ab, Н. А. Стругов^ab, В. В. Фирсов^ab, А. Н. Шелаев^ab

^a Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова
^b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

PDF полного текста (495 kB) Список цитирования (8)

Аннотация: Созданы и экспериментально исследованы миниатюрные моноблочные твердотельные кольцевые лазеры на YAG:Nd³⁺ (чип-лазеры) с плоским или неплоским кольцевым резонатором и высокоэффективной накачкой квантоворазмерным полупроводниковым InGaAsP/CaAs-лазером. Установлены условия получения в чип-лазерах высокостабильной одно- и двунаправленной одночастотной генерации. Исследованы зависимости характеристик излучения от параметров кольцевого резонатора, уровня и геометрии накачки, напряженности и ориентации внешнего магнитного поля, температурных изменений. Установлена новая возможность регистрации невзаимных оптических эффектов по расщеплению спектра частот противофазных колебаний интенсивностей встречных волн в автомодуляционных режимах.

Поступила в редакцию: 11.07.1989

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 12, Pages 1557–1558
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n12ABEH009820

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Da, 42.60.Fc, 42.60.Jf

Образец цитирования: Д. З. Гарбузов, В. В. Дедыш, А. В. Кочергин, Н. В. Кравцов, О. Е. Наний, В. Е. Надточеев, Н. А. Стругов, В. В. Фирсов, А. Н. Шелаев, “Гранатовый чип-лазер с накачкой InGaAsP/GaAs-лазером”, Квантовая электроника, 16:12 (1989), 2423–2425 [Sov J Quantum Electron, 19:12 (1989), 1557–1558]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe9820

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i12/p2423

Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы