Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 12, страницы 2423–2425 (Mi qe9820)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Лазеры и усилители

Гранатовый чип-лазер с накачкой InGaAsP/GaAs-лазером

Д. З. Гарбузовab, В. В. Дедышab, А. В. Кочергинab, Н. В. Кравцовab, О. Е. Нанийab, В. Е. Надточеевab, Н. А. Струговab, В. В. Фирсовab, А. Н. Шелаевab

a Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова
b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Аннотация: Созданы и экспериментально исследованы миниатюрные моноблочные твердотельные кольцевые лазеры на YAG:Nd3+ (чип-лазеры) с плоским или неплоским кольцевым резонатором и высокоэффективной накачкой квантоворазмерным полупроводниковым InGaAsP/CaAs-лазером. Установлены условия получения в чип-лазерах высокостабильной одно- и двунаправленной одночастотной генерации. Исследованы зависимости характеристик излучения от параметров кольцевого резонатора, уровня и геометрии накачки, напряженности и ориентации внешнего магнитного поля, температурных изменений. Установлена новая возможность регистрации невзаимных оптических эффектов по расщеплению спектра частот противофазных колебаний интенсивностей встречных волн в автомодуляционных режимах.
Поступила в редакцию: 11.07.1989
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 12, Pages 1557–1558
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n12ABEH009820
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.2
PACS: 42.55.Rz, 42.60.Da, 42.60.Fc, 42.60.Jf


Образец цитирования: Д. З. Гарбузов, В. В. Дедыш, А. В. Кочергин, Н. В. Кравцов, О. Е. Наний, В. Е. Надточеев, Н. А. Стругов, В. В. Фирсов, А. Н. Шелаев, “Гранатовый чип-лазер с накачкой InGaAsP/GaAs-лазером”, Квантовая электроника, 16:12 (1989), 2423–2425 [Sov J Quantum Electron, 19:12 (1989), 1557–1558]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9820
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i12/p2423
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:205
    PDF полного текста:88
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024