|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, А. И. Лукьянченко, Э. А. Полторацкий, К. С. Щамхалов, “Паразитное управление по подложке в полевых транзисторах на арсениде
галлия”, Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992), 794–800  |
|
1991 |
| 2. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, С. П. Тарнавский, А. В. Федоренко, “Частотная дисперсия крутизны в полевых транзисторах на основе
$\delta$-легированных структур”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1870–1876 |
| 3. |
В. А. Гергель, А. И. Лукьянченко, А. Н. Соляков, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, “Температурная зависимость эффекта управления транзистором через
полуизолирующую подложку в интегральных схемах на арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1667–1670 |
| 4. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, С. П. Тарнавский, А. В. Федоренко, “Влияние свойств барьера Шоттки на частотную дисперсию крутизны
полевого транзистора с барьером Шоттки”, Письма в ЖТФ, 17:14 (1991), 78–80  |
| 5. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, А. И. Лукьянченко, Э. А. Полторацкий, К. С. Шамхалов, “О механизмах паразитного управления по подложке в GaAs ПТШ”, Письма в ЖТФ, 17:14 (1991), 36–38 |
|
1990 |
| 6. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, А. И. Лукьянченко, Э. А. Полторацкий, А. Н. Соляков, “Физическая модель эффекта управления полевым транзистором через
полуизолирующую подложку”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2111–2116 |
|
1989 |
| 7. |
Н. Н. Ахмедиев, Л. Л. Бетина, В. М. Елеонский, Н. Е. Кулагин, Н. В. Островская, Э. А. Полторацкий, “Об оптимальном самосжатии многосолитонных импульсов в оптическом волокне”, Квантовая электроника, 16:9 (1989), 1925–1930 [N. N. Akhmediev, L. L. Betina, V. M. Eleonskii, N. E. Kulagin, N. V. Ostrovskaya, É. A. Poltoratskiǐ, “Optimal self-compression of multisoliton pulses in an optical fiber”, Sov J Quantum Electron, 19:9 (1989), 1240–1244 ] |
8
|
|
1986 |
| 8. |
Э. А. Ильичев, С. К. Максимов, Е. Н. Нагдаев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Особенности электрофизических и структурных свойств изолирующих слоев
в системе GaAs$-$AlAs, полученных МОС гидридным методом”, ЖТФ, 56:11 (1986), 2245–2247 |
| 9. |
Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, “Модуляция ОПЗ в структурах изолятор–полупроводник, полученных
в системе GaAs$-$AlAs”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1782–1786 |
| 10. |
С. М. Афанасьев, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, Б. В. Стрижков, “Влияние состава на электрофизические свойства изолирующих слоев
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1565–1571 |
| 11. |
Э. А. Ильичев, Ю. П. Маслобоев, В. М. Масловский, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Захват носителей в структурах
изолятор–полупроводник, полученных МОС
гидридным методом в системе GaAs$-$AlAs”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 757–759 |
| 12. |
Э. А. Ильичев, В. М. Масловский, Э. А. Полторацкий, “Электрофизические свойства изолирующих слоев твердого раствора
Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 594–602 |
|
1984 |
| 13. |
Э. А. Ильичев, Ю. П. Маслобоев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Полевой транзистор с изолированным затвором”, Письма в ЖТФ, 10:7 (1984), 420–422 |
|
1983 |
| 14. |
О. А. Белотелова, Н. Е. Кулагин, Э. А. Полторацкий, “Распространение света в прямоугольных активных волноводах”, Письма в ЖТФ, 9:15 (1983), 945–950 |
| 15. |
О. А. Белотелова, Н. Е. Кулагин, Ю. П. Маслобоев, Э. А. Полторацкий, Е. Ю. Шелюхин, “Распространение света в активных связанных волноводах”, Письма в ЖТФ, 9:15 (1983), 941–945 |
|
Обратная связь: