|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2000 |
| 1. |
Я. В. Фаттахов, М. Ф. Галяутдинов, Т. Н. Львова, И. Б. Хайбуллин, “О механизме формирования локального расплава на поверхности монокристаллических полупроводников при мощном световом облучении”, Квантовая электроника, 30:7 (2000), 597–600  [Ya. V. Fattakhov, M. F. Galyautdinov, T. N. L'vova, I. B. Khaibullin, “On the mechanism of local melting on the surface of monocrystalline semiconductors under intense light irradiation”, Quantum Electron., 30:7 (2000), 597–600  ] |
1
|
|
Обратная связь: