|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2002 |
| 1. |
П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский, “Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов”, Квантовая электроника, 32:3 (2002), 216–218  [P. V. Bulaev, O. I. Govorkov, I. D. Zalevskii, V. G. Krigel, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, “Influence of features of QW InGaAs/(Al)GaAs heterostructures grown by MOCVD on the emission spectrum of single-mode laser diodes”, Quantum Electron., 32:3 (2002), 216–218  ] |
|
1995 |
| 2. |
Е. Г. Голикова, В. П. Дураев, С. А. Козиков, В. Г. Кригель, О. А. Лабутин, В. И. Швейкин, “Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями”, Квантовая электроника, 22:2 (1995), 105–107 [E. G. Golikova, V. P. Duraev, S. A. Kozikov, V. G. Krigel, O. A. Labutin, V. I. Shveikin, “Quantum-well InGaAsPInP lasers”, Quantum Electron., 25:2 (1995), 96–98 ] |
1
|
|
1983 |
| 3. |
Д. В. Клячко, В. Г. Кригель, “Распределение примеси теллура вблизи дислокаций в монокристаллах GaAs”, Физика твердого тела, 25:4 (1983), 1180–1183 |
|
1981 |
| 4. |
Н. П. Черноусов, В. Г. Кригель, А. В. Борошнев, В. М. Полторацкий, “Оптимизация температурного интервала при ускоренных испытаниях гетеролазеров на основе Ga<sub>1–x</sub>Al<sub>x</sub>As–GaAs”, Квантовая электроника, 8:6 (1981), 1334–1336 [N. P. Chernousov, V. G. Krigel, A. V. Boroshnev, V. M. Poltoratskiǐ, “Optimization of the temperature interval in accelerated life tests on Ga<sub>1–x</sub>Al<sub>x</sub>As–GaAs heterojunction lasers”, Sov J Quantum Electron, 11:6 (1981), 800–801 ] |
|
|
|
2002 |
| 5. |
П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский, “Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов”, Квантовая электроника, 32:6 (2002), 564 |
|
Обратная связь: