|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2004 |
| 1. |
Д. С. Мамедов, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, С. Д. Якубович, В. В. Прохоров, “Двухпроходные суперлюминесцентные диоды с пониженным энергопотреблением на основе многослойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры”, Квантовая электроника, 34:3 (2004), 206–208  [D. S. Mamedov, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, S. D. Yakubovich, V. V. Prokhorov, “Double-pass superluminescent multilayer quantum-well (GaAl)As heterostructure diodes with a reduced power consumption”, Quantum Electron., 34:3 (2004), 206–208  ] |
1
|
|
2002 |
| 2. |
П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский, “Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов”, Квантовая электроника, 32:3 (2002), 216–218 [P. V. Bulaev, O. I. Govorkov, I. D. Zalevskii, V. G. Krigel, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, “Influence of features of QW InGaAs/(Al)GaAs heterostructures grown by MOCVD on the emission spectrum of single-mode laser diodes”, Quantum Electron., 32:3 (2002), 216–218 ] |
| 3. |
П. В. Булаев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Д. Б. Никитин, А. В. Петровский, И. Д. Залевский, В. П. Коняев, В. В. Оськин, М. В. Зверков, В. А. Симаков, Г. М. Зверев, “Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения”, Квантовая электроника, 32:3 (2002), 213–215 [P. V. Bulaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, D. B. Nikitin, A. V. Petrovskii, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, V. V. Os'kin, M. V. Zverkov, V. A. Simakov, G. M. Zverev, “High-power semiconductor 0.89 – 1.06-μm lasers with a low emission divergence based on strained quantum-well InGaAs/(Al)GaAs structures”, Quantum Electron., 32:3 (2002), 213–215 ] |
7
|
|
|
| 4. |
П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский, “Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов”, Квантовая электроника, 32:6 (2002), 564 |
|
Обратная связь: