|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2007 |
| 1. |
В. П. Дураев, Г. Б. Лутц, Е. Т. Неделин, М. А. Сумароков, О. И. Медведков, С. А. Васильев, “Дискретно перестраиваемый одночастотный диодный лазер с волоконными брэгговскими решетками”, Квантовая электроника, 37:12 (2007), 1143–1145   [V. P. Duraev, G. B. Lutts, E. T. Nedelin, M. A. Sumarokov, O. I. Medvedkov, S. A. Vasil'ev, “Discretely tunable single-frequency fibre Bragg grating diode laser”, Quantum Electron., 37:12 (2007), 1143–1145   ] |
2
|
|
2005 |
| 2. |
А. В. Гладышев, М. И. Беловолов, С. А. Васильев, В. П. Дураев, О. И. Медведков, А. И. Надеждинский, Е. Т. Неделин, Я. Я. Понуровский, “Непрерывно перестраиваемый одночастотный диодный лазер на длину волны 1.52 мкм для целей газоанализа”, Квантовая электроника, 35:3 (2005), 241–242 [A. V. Gladyshev, M. I. Belovolov, S. A. Vasil'ev, V. P. Duraev, O. I. Medvedkov, A. I. Nadezhdinskii, E. T. Nedelin, Ya. Ya. Ponurovskii, “Continuously tunable single-frequency 1.52-μm diode laser for gas analysis”, Quantum Electron., 35:3 (2005), 241–242 ] |
5
|
|
2001 |
| 3. |
В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, Т. П. Недобывайло, М. А. Сумароков, К. И. Климов, “Полупроводниковые лазеры с волоконной брэгговской решеткой и узким спектром генерации на длинах волн 1530 – 1560 нм”, Квантовая электроника, 31:6 (2001), 529–530 [V. P. Duraev, E. T. Nedelin, T. P. Nedobyvailo, M. A. Sumarokov, K. I. Klimov, “Bragg fibre grating semiconductor lasers with the narrow emission spectrum in the 1530 – 1560-nm region”, Quantum Electron., 31:6 (2001), 529–530 ] |
13
|
|
1998 |
| 4. |
В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, Т. П. Недобывайло, М. А. Сумароков, В. В. Шишков, “Одночастотный полупроводниковый лазер на λ = 1.06 мкм с распределенным брегговским зеркалом в волоконном световоде”, Квантовая электроника, 25:4 (1998), 301–302 [V. P. Duraev, E. T. Nedelin, T. P. Nedobyvailo, M. A. Sumarokov, V. V. Shishkov, “Single-frequency λ = 1.06 μm semiconductor laser with a distributed Bragg mirror in an optical fibre”, Quantum Electron., 28:4 (1998), 290–291 ] |
4
|
|
1996 |
| 5. |
В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, А. В. Мельников, М. А. Сумароков, В. А. Шишкин, “Низкопороговые лазеры с длиной волны излучения 1.02 мкм на основе InGaP/InGaAsP”, Квантовая электроника, 23:9 (1996), 785–786 [V. P. Duraev, E. T. Nedelin, A. V. Mel'nikov, M. A. Sumarokov, V. A. Shishkin, “Low-threshold InGaP/InGaAsP lasers with the emission wavelength 1.02 μm”, Quantum Electron., 26:9 (1996), 765–766 ] |
|
1992 |
| 6. |
By Ван Лык, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, М. В. Цоцория, “Интерферометрическая модуляция в оптическом усилителе на основе InGaAsP/InP-гетероструктуры”, Квантовая электроника, 19:7 (1992), 674–676 [Vu Van Luc, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, M. V. Tsotsorya, “Interferometric modulation in an optical amplifier based on an InGaAsP/lnP heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 22:7 (1992), 624–626 ] |
|
1990 |
| 7. |
Ю. А. Быковский, К. Б. Дедушенко, В. П. Дураев, И. Г. Лихачев, Е. Т. Неделин, “Спектральные характеристики инжекционных C<sup>3</sup>-лазеров на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 17:4 (1990), 410–411 [Yu. A. Bykovskii, K. B. Dedushenko, V. P. Duraev, I. G. Likhachev, E. T. Nedelin, “Spectral characteristics of InGaAsP/InP injection C<sup>3</sup> lasers”, Sov J Quantum Electron, 20:4 (1990), 344–346 ] |
|
1989 |
| 8. |
Буй Зуи, Ву Ван Лык, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Е. Т. Неделин, Нгуен Тхи Тхань Фыонг, Нгуен Чыонг Тхонг Ньят, “Одномодовый лазерный усилитель в диапазоне 1,3 мкм на основе зарощенной полосковой гетероструктуры”, Квантовая электроника, 16:8 (1989), 1606–1608 [Bui Huy, Vu Van Luc, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, E. T. Nedelin, Nguyên Thi Thanh Truong, Nguyên Chyong Thong Nhat, “Single-mode laser amplifier operating in the 1.3 μm range and using a buried stripe heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 19:8 (1989), 1034–1036 ] |
|
1988 |
| 9. |
И. А. Авруцкий, В. И. Барышев, В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, А. С. Свахин, В. А. Сычугов, Т. В. Тулайкова, В. И. Швейкин, В. В. Шишков, “Источники излучения для ВОЛС со спектральным уплотнением информационных каналов в диапазоне 1,3–1,6 мкм”, Квантовая электроника, 15:4 (1988), 702–704 [I. A. Avrutskiǐ, V. I. Baryshev, V. P. Duraev, E. T. Nedelin, A. S. Svakhin, V. A. Sychugov, T. V. Tulaǐkova, V. I. Shveǐkin, V. V. Shishkov, “Radiation sources for fiber-optic communication lines with wavelength-division multiplexing of data channels in the range 1.3–1.6 μm”, Sov J Quantum Electron, 18:4 (1988), 446–448 ] |
| 10. |
И. А. Авруцкий, В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, A. М. Прохоров, А. С. Свахин, В. А. Сычугов, А. В. Тищенко, “Оптимизация характеристик дисперсионного элемента на основе гофрированного волновода”, Квантовая электроника, 15:3 (1988), 569–574 [I. A. Avrutskiǐ, V. P. Duraev, E. T. Nedelin, A. M. Prokhorov, A. S. Svakhin, V. A. Sychugov, A. V. Tishchenko, “Optimization of the characteristics of a dispersive element based on a corrugated waveguide”, Sov J Quantum Electron, 18:3 (1988), 362–365 ] |
5
|
|
1987 |
| 11. |
И. А. Авруцкий, В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, A. М. Прохоров, А. С. Свахин, В. А. Сычугов, “Одночастотный полупроводниковый лазер с $\lambda=1.3$ мкм c волоконным внешним резонатором”, Письма в ЖТФ, 13:14 (1987), 849–854 |
| 12. |
В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Е. Т. Неделин, В. И. Швейкин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 14:11 (1987), 2201–2202 [V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, E. T. Nedelin, V. I. Shveǐkin, “Low-threshold InGaAsP/InP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 17:11 (1987), 1402–1403 ] |
|
1983 |
| 13. |
Е. Г. Голикова, А. А. Гвоздев, В. П. Дураев, Н. В. Малькова, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, М. А. Сумароков, А. А. Шелякин, “Сверхлюминесцентные излучатели на основе гетероструктур
GaInAsP$-$InP с длиной волны излучения
1.3$-$1.55 мкм”, ЖТФ, 53:11 (1983), 2286–2288 |
| 14. |
М. Г. Васильев, А. А. Гвоздев, А. Т. Гореленок, Ю. В. Гуляев, В. Ф. Дворянкин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, В. В. Кожин, Е. Т. Неделин, Г. А. Синицина, И. С. Тарасов, А. А. Телегин, А. С. Усиков, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин, “Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе
InGaAsP/InP (${\lambda\simeq1.3}$ мкм), полученные гибридной технологией”, ЖТФ, 53:7 (1983), 1413–1414 |
|
1982 |
| 15. |
Л. М. Долгинов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, “О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1902–1904 [L. M. Dolginov, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, “Temperature dependences of the emission characteristics of GaInPAs/InP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1237–1238 ] |
|
1981 |
| 16. |
В. В. Безотосный, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, Г. В. Шепекина, И. Н. Шишкин, “Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP”, Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1985–1987 [V. V. Bezotosnyi, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, G. V. Shepekina, I. N. Shishkin, “Service life of GalnPAs/lnP heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1201–1202 ] |
1
|
|
Обратная связь: