|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2008 |
| 1. |
В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Д. Р. Сабитов, М. А. Сумароков, А. В. Сухарев, “Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе”, Квантовая электроника, 38:2 (2008), 97–102   [V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, D. R. Sabitov, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Influence of the InGaAs/(Al)GaAs quantum-well heterostructure growth features on the spectral characteristics of laser diodes”, Quantum Electron., 38:2 (2008), 97–102   ] |
2
|
|
2007 |
| 2. |
В. П. Дураев, Г. Б. Лутц, Е. Т. Неделин, М. А. Сумароков, О. И. Медведков, С. А. Васильев, “Дискретно перестраиваемый одночастотный диодный лазер с волоконными брэгговскими решетками”, Квантовая электроника, 37:12 (2007), 1143–1145 [V. P. Duraev, G. B. Lutts, E. T. Nedelin, M. A. Sumarokov, O. I. Medvedkov, S. A. Vasil'ev, “Discretely tunable single-frequency fibre Bragg grating diode laser”, Quantum Electron., 37:12 (2007), 1143–1145 ] |
2
|
|
2005 |
| 3. |
В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Сумароков, А. В. Сухарев, “Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050–1100 нм”, Квантовая электроника, 35:10 (2005), 909–911 [V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Effect of GaAsP barrier layers on the parameters of InGaAs/AlGaAs laser diodes emitting in the 1050–1100-nm spectral range”, Quantum Electron., 35:10 (2005), 909–911 ] |
2
|
|
2001 |
| 4. |
В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, Т. П. Недобывайло, М. А. Сумароков, К. И. Климов, “Полупроводниковые лазеры с волоконной брэгговской решеткой и узким спектром генерации на длинах волн 1530 – 1560 нм”, Квантовая электроника, 31:6 (2001), 529–530 [V. P. Duraev, E. T. Nedelin, T. P. Nedobyvailo, M. A. Sumarokov, K. I. Klimov, “Bragg fibre grating semiconductor lasers with the narrow emission spectrum in the 1530 – 1560-nm region”, Quantum Electron., 31:6 (2001), 529–530 ] |
13
|
|
1998 |
| 5. |
В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, Т. П. Недобывайло, М. А. Сумароков, В. В. Шишков, “Одночастотный полупроводниковый лазер на λ = 1.06 мкм с распределенным брегговским зеркалом в волоконном световоде”, Квантовая электроника, 25:4 (1998), 301–302 [V. P. Duraev, E. T. Nedelin, T. P. Nedobyvailo, M. A. Sumarokov, V. V. Shishkov, “Single-frequency λ = 1.06 μm semiconductor laser with a distributed Bragg mirror in an optical fibre”, Quantum Electron., 28:4 (1998), 290–291 ] |
4
|
|
1996 |
| 6. |
В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, А. В. Мельников, М. А. Сумароков, В. А. Шишкин, “Низкопороговые лазеры с длиной волны излучения 1.02 мкм на основе InGaP/InGaAsP”, Квантовая электроника, 23:9 (1996), 785–786 [V. P. Duraev, E. T. Nedelin, A. V. Mel'nikov, M. A. Sumarokov, V. A. Shishkin, “Low-threshold InGaP/InGaAsP lasers with the emission wavelength 1.02 μm”, Quantum Electron., 26:9 (1996), 765–766 ] |
|
1990 |
| 7. |
И. А. Гармаш, В. Н. Морозов, А. Т. Семенов, М. А. Сумароков, В. Р. Шидловский, “Токи утечки и 1/f-шум в заращенных гетеролазерах на InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 17:8 (1990), 964–968 [I. A. Garmash, V. N. Morozov, A. T. Semenov, M. A. Sumarokov, V. R. Shidlovskiǐ, “Leakage currents and 1/f noise in buried InGaAsP/InP heterostructure lasers”, Sov J Quantum Electron, 20:8 (1990), 882–886 ] |
5
|
|
Обратная связь: