|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2009 |
1. |
П. Г. Елисеев, А. Уханов, А. Штинц, К. Д. Маллой, “Электрические свойства лазерных InAs/InGaAs-гетероструктур на основе квантовых точек InAs: пороговый эффект”, Квантовая электроника, 39:6 (2009), 501–504 [P. G. Eliseev, A. Ukhanov, A. Shtints, K. J. Malloy, “Electrical properties of InAs/InGaAs quantum-dot laser heterostructures: A threshold effect”, Quantum Electron., 39:6 (2009), 501–504 ] |
2
|
|