|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко, В. Н. Павловский, И. Е. Свитенков, Г. П. Яблонский, “Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn$_{8}$S$_{12.5}$”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 669–672   |
|
2020 |
| 2. |
И. Е. Свитенков, В. Н. Павловский, Е. В. Муравицкая, Е. В. Луценко, Г. П. Яблонский, О. М. Бородавченко, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, М. В. Якушев, С. О. Когновицкий, “Спонтанное и стимулированное излучение в тонких пленках твердых растворов Cu(In$_{1-x}$Ga$_{x}$)(S$_{y}$Se$_{1-y}$)$_{2}$ в составе солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1058–1065 ; I. E. Svitsiankou, V. N. Pavlovskii, E. V. Muravitskaya, E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, M. V. Yakushev, S. O. Kognovitckii, “Spontaneous and stimulated emission in thin films of Cu(In$_{1-x}$Ga$_{x}$)(S$_{y}$Se$_{1-y}$)$_{2}$ solid solutions in the сomposition of solar cells”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1247–1253 |
|
2019 |
| 3. |
И. В. Боднарь, Б. Т. Чан, В. Н. Павловский, И. Е. Свитенков, Г. П. Яблонский, “Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn$_{7}$S$_{12}$”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1621–1624 ; I. V. Bondar', B. T. Chan, V. N. Pavlovskii, I. E. Svitsiankou, G. P. Yablonskii, “Temperature dependence of the band gap of MnAgIn$_{7}$S$_{12}$ single crystals”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1593–1596 |
| 4. |
М. С. Леоненя, А. В. Нагорный, Б. Д. Урманов, В. А. Шуленкова, Г. П. Яблонский, “Стабильный режим генерации лазерного излучения в микропорошках CdSSe”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 552–555 [M. S. Leanenia, A. V. Nagorny, B. D. Urmanov, V. A. Shulenkova, G. P. Yablonskii, “Stable random lasing in CdSSe micropowders”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 552–555   ] |
1
|
| 5. |
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. В. Нагорный, В. А. Шуленкова, Г. П. Яблонский, А. Н. Алексеев, С. И. Петров, Я. А. Соловьёв, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, В. А. Солодуха, “Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфира”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 540–544 [E. V. Lutsenko, N. V. Rzheutskii, A. G. Voinilovich, I. E. Svitsiankou, A. V. Nagorny, V. A. Shulenkova, G. P. Yablonskii, A. N. Alekseev, S. I. Petrov, Ya. A. Solov'ev, A. N. Pyatlitski, D. V. Zhigulin, V. A. Solodukha, “Stimulated emission of AlGaN layers grown on sapphire substrates using ammonia molecular beam epitaxy”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 540–544 ] |
3
|
|
2018 |
| 6. |
И. Е. Свитенков, В. Н. Павловский, Е. В. Луценко, Г. П. Яблонский, В. Я. Ширипов, Е. А. Хохлов, А. В. Мудрый, В. Д. Живулько, О. М. Бородавченко, М. В. Якушев, “Люминесценция и стимулированное излучение поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_{2}$, осажденных методом магнетотронного напыления”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1120–1125 ; I. E. Svitsiankou, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, V. Y. Shiripov, E. A. Khokhlov, A. V. Mudryi, V. D. Zhivulko, O. M. Borodavchenko, M. V. Yakushev, “Luminescence and stimulated emission of polycrystalline Cu(In,Ga)Se$_{2}$ films deposited by magnetron-assisted sputtering”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1238–1243 |
|
2013 |
| 7. |
Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, М. Аланзи, А. Хамидалддин, А. Альямани, “Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 418–422 [E. V. Lutsenko, A. G. Voinilovich, N. V. Rzheutskii, V. N. Pavlovskii, G. P. Yablonskii, S. V. Sorokin, S. V. Gronin, I. V. Sedova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, M. Alanzi, A. Hamidalddin, A. Alyamani, “Optically pumped quantum-dot Cd(Zn)Se/ZnSe laser and microchip converter for yellow–green spectral region”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 418–422 ] |
13
|
|
1992 |
| 8. |
А. Л. Гурский, Е. В. Луценко, Н. К. Морозова, Г. П. Яблонский, “Примесная люминесценция монокристаллов ZnS : O при высоких уровнях фото- и стримерного возбуждения”, Физика твердого тела, 34:11 (1992), 3530–3536 |
|
1991 |
| 9. |
С. В. Давыдов, И. И. Кулак, А. И. Митьковец, А. А. Ставров, А. П. Шкадаревич, Г. П. Яблонский, “Генерация на кристаллах ИАГ:Nd<sup>3+</sup> и KGdW:Nd<sup>3+</sup> при накачке полупроводниковыми лазерами”, Квантовая электроника, 18:1 (1991), 20–21 [S. V. Davydov, I. I. Kulak, A. I. Mitskovets, A. A. Stavrov, A. P. Shkadarevich, G. P. Yablonskii, “Lasing in YAG:Nd<sup>3+</sup> and KGdW:Nd<sup>3+</sup> crystals pumped with semiconductor lasers”, Sov J Quantum Electron, 21:1 (1991), 16–17 ] |
|
1989 |
| 10. |
В. П. Грибковский, В. В. Паращук, Г. П. Яблонский, “Стримерное возбуждение генерации в высокочастотном режиме”, Квантовая электроника, 16:6 (1989), 1145–1148 [V. P. Gribkovskiǐ, V. V. Parashchuk, G. P. Yablonskii, “Streamer excitation of lasing at high repetition frequencies”, Sov J Quantum Electron, 19:6 (1989), 742–744 ] |
|
1988 |
| 11. |
А. Ф. Бохонов, Л. Н. Творонович, Г. П. Яблонский, “Дефектообразование в кристаллах GdS и ZnSe под воздействием излучения азотного и эксимерного лазеров”, Физика твердого тела, 30:6 (1988), 1585–1593 |
|
1987 |
| 12. |
А. А. Гладыщук, А. Л. Гурский, В. А. Никитенко, В. В. Паращук, Г. П. Яблонский, “Вынужденное излучение стримерных разрядов в монокристаллах ZnO при 300 К”, Квантовая электроника, 14:10 (1987), 1983–1985 [A. A. Gladyshchuk, A. L. Gurskiǐ, V. A. Nikitenko, V. V. Parashchuk, G. P. Yablonskii, “Stimulated radiation emitted from streamer discharges in ZnO crystals at 300 K”, Sov J Quantum Electron, 17:10 (1987), 1263–1264 ] |
|
1985 |
| 13. |
В. В. Зубрицкий, В. А. Зюльков, В. С. Чирвоный, Г. П. Яблонский, В. П. Грибковский, “Вынужденное излучение монокристаллов селенида цинка при стримерном возбуждении”, Квантовая электроника, 12:4 (1985), 724–728 [V. V. Zubritskiǐ, V. A. Zyul'kov, V. S. Chirvonyi, G. P. Yablonskii, V. P. Gribkovskiǐ, “Stimulated radiation emitted from zinc selenide single crystals under streamer excitation conditions”, Sov J Quantum Electron, 15:4 (1985), 475–477 ] |
|
1984 |
| 14. |
Г. П. Яблонский, “Образование дефектов решетки в широкозонных полупроводниках A$_{2}$B$_{6}$ под воздействием излучения азотного лазера”, Физика твердого тела, 26:4 (1984), 995–1001 |
| 15. |
В. А. Иванов, Г. П. Яблонский, В. П. Грибковский, “Влияние дислокаций на спектры люминесценции теллурида цинка”, Физика твердого тела, 26:3 (1984), 754–757 |
| 16. |
Г. П. Яблонский, “Лазерный отжиг дефектов решетки в монокристаллах ZnSe”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 918–920 |
|
1981 |
| 17. |
Р. Балтрамеюнас, А. А. Гладыщук, В. П. Грибковский, Э. П. Куокштис, Г. П. Яблонский, “Люминесценция и генерация света в монокристаллах ZnSe при одно- и двухфотонном возбуждении”, Квантовая электроника, 8:4 (1981), 898–901 [R. A. Baltrameyunas, A. A. Gladyshchuk, V. P. Gribkovskiǐ, È. P. Kuokshtis, G. P. Yablonskii, “Luminescence and lasing of ZnSe single crystals subjected to one- and two-photon excitation”, Sov J Quantum Electron, 11:4 (1981), 539–541 ] |
11
|
|
1979 |
| 18. |
В. П. Грибковский, В. А. Запорожченко, В. А. Иванов, А. В. Качинский, В. В. Паращук, Г. П. Яблонский, “Генерация света в монокристаллах ZnTe, ZnSe и CdS при возбуждении пикосекундными импульсами рубинового лазера”, Квантовая электроника, 6:10 (1979), 2229–2232 [V. P. Gribkovskiǐ, V. A. Zaporozhchenko, V. A. Ivanov, A. V. Kachinskiǐ, V. V. Parashchuk, G. P. Yablonskiǐ, “Lasing in ZnTe, ZnSe, and CdS single crystals excited by ruby laser picosecond pulses”, Sov J Quantum Electron, 9:10 (1979), 1305–1307] |
17
|
|
Обратная связь: