|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. А. Богословский, П. В. Петров, Н. С. Аверкиев, “Спин-флуктуационный переход в неупорядоченной модели Изинга”, Письма в ЖЭТФ, 114:6 (2021), 383–390  ; N. A. Bogoslovskiy, P. V. Petrov, N. S. Averkiev, “Spin-fluctuation transition in the disordered Ising model”, JETP Letters, 114:6 (2021), 347–353   |
6
|
|
2020 |
| 2. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, А. Б. Былев, А. О. Якубов, “Многоуровневая запись в тонких пленках Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 372–375 ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, N. A. Bogoslovskii, A. B. Bylev, A. O. Yakubov, “Multilevel recording in Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ thin films”, Semiconductors, 54:4 (2020), 450–453 |
1
|
|
2019 |
| 3. |
Н. А. Богословский, П. В. Петров, Н. С. Аверкиев, “Примесная магнитная восприимчивость полупроводников в случае прямого обменного взаимодействия в модели Изинга”, Физика твердого тела, 61:11 (2019), 2036–2039  ; N. A. Bogoslovskii, P. V. Petrov, N. S. Averkiev, “Impurity magnetic susceptibility of semiconductors for the direct exchange interaction in the Ising model”, Phys. Solid State, 61:11 (2019), 2005–2009 |
5
|
|
2018 |
| 4. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин, “Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1503–1506 ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, N. A. Bogoslovskii, K. D. Tsendin, “Estimation of the temperature of the current filament that forms upon switching in GeSbTe”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1607–1610 |
3
|
|
2017 |
| 5. |
А. А. Шерченков, С. А. Козюхин, П. И. Лазаренко, А. В. Бабич, Н. А. Богословский, И. В. Сагунова, Е. Н. Редичев, “Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 154–160 ; A. A. Sherchenkov, S. A. Kozyukhin, P. I. Lazarenko, A. V. Babich, N. A. Bogoslovskii, I. V. Sagunova, E. N. Redichev, “Electrical properties and transport mechanisms in phase change memory thin films of quasi-binary-line GeTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$ chalcogenide semiconductors”, Semiconductors, 51:2 (2017), 146–152 |
2
|
|
2016 |
| 6. |
Н. А. Богословский, П. В. Петров, Ю. Л. Иванов, Н. С. Аверкиев, К. Д. Цэндин, “Влияние кулоновских корреляций на люминесценцию и поглощение в компенсированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 905–910 ; N. A. Bogoslovskii, P. V. Petrov, Yu. L. Ivanov, N. S. Averkiev, K. D. Tsendin, “Effect of Coulomb correlations on luminescence and absorption in compensated semiconductors”, Semiconductors, 50:7 (2016), 888–893 |
2
|
|
2013 |
| 7. |
Н. А. Богословский, Ю. А. Климов, А. В. Савельев, Д. К. Шалыга, “Разработка экспериментального комплекса суперкомпьютерного моделирования на основе кода на языке Matlab”, Программные системы: теория и приложения, 4:2 (2013), 21–42 |
|
Обратная связь: