Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 4, страницы 372–375
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49144.9301 (Mi phts5246) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Многоуровневая запись в тонких пленках Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$

С. А. Фефеловa, Л. П. Казаковаab, Н. А. Богословскийa, А. Б. Былевb, А. О. Якубовc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова
c Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
PDF полного текста (211 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49144.9301
Аннотация: Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на тонких пленках Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ в токовой моде. Установлен эффект многоуровневой записи при последовательной подаче на образец импульсов тока с возрастающим максимальным значением. Показано, что этот эффект может быть связан с расширением канала памяти. Получена оценка размера канала памяти. Сделан вывод о возможности использования пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ в качестве мемристора.
Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, эффект переключения, фазовая память, шнур тока, многоуровневая запись.
Поступила в редакцию: 31.10.2019
Исправленный вариант: 25.11.2019
Принята в печать: 25.11.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 4, Pages 450–453
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620040065
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, А. Б. Былев, А. О. Якубов, “Многоуровневая запись в тонких пленках Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 372–375; Semiconductors, 54:4 (2020), 450–453
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FefKazBog20}
\by С.~А.~Фефелов, Л.~П.~Казакова, Н.~А.~Богословский, А.~Б.~Былев, А.~О.~Якубов
\paper Многоуровневая запись в тонких пленках Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 372--375
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5246}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49144.9301}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 450--453
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620040065}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5246
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i4/p372
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024