|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2011 |
1. |
В. И. Чепурнов, К. П. Сивакова, А. А. Ермошкин, “Особенности наноточечного дефектообразования в структуре por-SiC/Si, полученной по диффузионной технологии для химических датчиков”, Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер., 2011, № 2(83), 179–183 |
1
|
|