Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Говоркова Т Е

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 6
Научных статей: 6

Статистика просмотров:
Эта страница:103
Страницы публикаций:370
Полные тексты:105
Списки литературы:67

https://www.mathnet.ru/rus/person77175
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2019
1. А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, Д. А. Фролов, В. И. Окулов, Т. Е. Говоркова, Л. Д. Паранчич, “Микроволновое магнитопоглощение в HgSe с примесью Co и Ni”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1413–1418  mathnet  elib; A. I. Veinger, I. V. Kochman, D. A. Frolov, V. I. Okulov, T. E. Govorkova, L. D. Paranchich, “Microwave magnetic absorption in HgSe with Co and Ni impurities”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1375–1380 1
2018
2. К. Д. Моисеев, Ю. А. Кудрявцев, Т. Б. Чарикова, А. М. Луговых, Т. Е. Говоркова, В. И. Окулов, “Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца”, Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2325–2330  mathnet  elib; K. D. Moiseev, Yu. A. Kudriavtsev, T. B. Charikova, A. M. Lugovykh, T. E. Govorkova, V. I. Okulov, “Effects of magnetic ordering in conductivity and magnetization of gaas-based semiconductor heterostructures upon changing the concentration of the delta-layer of manganese admixture”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2402–2407
2017
3. А. Т. Лончаков, В. И. Окулов, С. Б. Бобин, В. В. Дерюшкин, Т. Е. Говоркова, “Наблюдение проявлений токов спонтанного намагничения в кристаллах HgSe с низкой концентрацией примесей 3$d$-переходного металла”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  30–37  mathnet  elib; A. T. Lonchakov, V. I. Okulov, S. B. Bobin, V. V. Deryushkin, T. E. Govorkova, “Observation of manifestations of spontaneous magnetization currents in the crystals of HgSe with low concentration impurities of 3$d$-transition metal”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 57–60
2016
4. Т. Е. Говоркова, А. Т. Лончаков, В. В. Марченков, В. И. Окулов, С. М. Подгорных, В. С. Гавико, С. М. Емельянова, “Обнаружение сильного влияния вариаций состава на низкотемпературное магнитное упорядочение почти стехиометрических сплавов Fe–V–Al”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016),  49–55  mathnet  elib; T. E. Govorkova, A. T. Lonchakov, V. V. Marchenkov, V. I. Okulov, S. M. Podgornykh, V. S. Gaviko, S. M. Emelyanova, “The detection of a strong influence of composition variations on low-temperature magnetic ordering in nearly stoichiometric Fe–V–Al alloys”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1122–1125 2
5. А. Т. Лончаков, В. В. Марченков, С. М. Подгорных, В. И. Окулов, К. А. Окулова, Т. Е. Говоркова, С. М. Емельянова, “Исследование особенностей электронной плотности состояний слабонестехиометрических сплавов Fe–V–Al с помощью анализа низкотемпературной теплоемкости”, Письма в ЖТФ, 42:17 (2016),  34–40  mathnet  elib; A. T. Lonchakov, V. V. Marchenkov, S. M. Podgornykh, V. I. Okulov, K. A. Okulova, T. E. Govorkova, S. M. Emelyanova, “Examination of the specific features of the electron density of states of weakly nonstoichiometric Fe–V–Al alloys through the analysis of low-temperature heat capacity”, Tech. Phys. Lett., 42:9 (2016), 898–900 3
2012
6. А. Т. Лончаков, В. И. Окулов, Т. Е. Говоркова, М. Д. Андрийчук, Л. Д. Паранчич, “Экспериментальное обнаружение и теоретическое описание аномального эффекта Холла в спонтанно поляризованной системе электронов гибридизированных примесных состояний”, Письма в ЖЭТФ, 96:6 (2012),  444–448  mathnet  elib; A. T. Lonchakov, V. I. Okulov, T. E. Govorkova, M. D. Andriichuk, L. D. Paranchich, “Experimental discovery and theoretical description of the anomalous hall effect in a spontaneously polarized electron system of hybridized impurity states”, JETP Letters, 96:6 (2012), 405–409  isi  elib  scopus 15

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024