|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
В. И. Таланин, И. Е. Таланин, “Комплексообразование в полупроводниковом кремнии в соответствии с моделью твердого тела Власова”, Физика твердого тела, 58:10 (2016), 1977–1981   ; V. I. Talanin, I. E. Talanin, “Complex formation in semiconductor silicon within the framework of the Vlasov model of a solid state”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 2050–2054 |
4
|
| 2. |
В. И. Таланин, И. Е. Таланин, “Диффузионная модель образования ростовых микродефектов: новый подход к дефектообразованию в кристаллах (Обзор)”, Физика твердого тела, 58:3 (2016), 417–427 ; V. I. Talanin, I. E. Talanin, “Diffusion model of the formation of growth microdefects: A new approach to defect formation in crystals (Review)”, Phys. Solid State, 58:3 (2016), 427–437 |
7
|
|
1986 |
| 3. |
А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, И. Е. Таланин, К. Л. Малышев, Э. Г. Шейхет, Э. С. Фалькевич, “Исследование природы микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния”, Физика твердого тела, 28:6 (1986), 1829–1833  |
|
Обратная связь: