Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 10, страницы 1977–1981 (Mi ftt9823)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Примесные центры

Комплексообразование в полупроводниковом кремнии в соответствии с моделью твердого тела Власова

В. И. Таланин, И. Е. Таланин

Институт экономики и информационных технологий, Запорожье, Украина
PDF полного текста (122 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Проведен расчет образования комплексов кремний–углерод и кремний–кислород во время охлаждения после выращивания бездислокационных монокристаллов кремния с помощью модели образования кристалла Власова. Подтверждено, что процесс комплексообразования начинается вблизи фронта кристаллизации. Показано, что модель твердого тела Власова можно применять не только для изучения гипотетических идеальных кристаллов, но и для описания образования дефектной структуры реальных кристаллов.
Поступила в редакцию: 09.02.2016
Исправленный вариант: 13.03.2016
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 10, Pages 2050–2054
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416100371
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Таланин, И. Е. Таланин, “Комплексообразование в полупроводниковом кремнии в соответствии с моделью твердого тела Власова”, Физика твердого тела, 58:10 (2016), 1977–1981; Phys. Solid State, 58:10 (2016), 2050–2054
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TalTal16}
\by В.~И.~Таланин, И.~Е.~Таланин
\paper Комплексообразование в полупроводниковом кремнии в соответствии с моделью твердого тела Власова
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 10
\pages 1977--1981
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9823}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368784}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 10
\pages 2050--2054
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416100371}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9823
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i10/p1977
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    1. Rui Li, Xinyu Gu, Xiaohe Lin, Yong Wu, “MRCI+Q calculations on electronic structure and spectroscopy of low-lying electronic states of silicon monobromide including spin-orbit coupling effect”, Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer, 2024, 109207  crossref
    2. Wen Jiang, Rui Li, Long Ding, Jianlei Xue, Bing Yan, B.F. Minaev, “Theoretical study on low-lying states of silicon iodide:MRCI+Q calculation including spin-orbit coupling”, Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer, 310 (2023), 108713  crossref
    3. V.I. Talanin, I.E. Talanin, “Complexation in germanium in accordance with Vlasov's model for solids”, Journal of Crystal Growth, 552 (2020), 125928  crossref
    4. V. I. Talanin, I. E. Talanin, “High-Temperature Precipitation of Impurities within the Vlasov Model for Solids”, Crystallogr. Rep., 64:4 (2019), 581  crossref
    5. Vitalyi Igorevich Talanin, Igor Evgenievich Talanin, Vladislav Igorevich Lashko, New Research on Silicon - Structure, Properties, Technology, 2017  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025