|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Х. А. Абдуллин, А. А. Азаткалиев, М. Т. Габдуллин, Ж. К. Калкозова, Б. Н. Мукашев, А. С. Серикканов, “Получение наноразмерных порошков оксида вольфрама и вольфрама”, Физика твердого тела, 61:1 (2019), 163–168   ; Kh. A. Abdullin, A. A. Azatkaliev, M. T. Gabdullin, Zh. K. Kalkozova, B. N. Mukashev, A. S. Serikkhanov, “Preparation of nanosized tungsten and tungsten oxide powders”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2634–2639 |
5
|
|
2016 |
| 2. |
А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, L. Pelissier, P. Lay, G. Fortin, L. Bounaas, Д. М. Скаков, Д. А. Калыгулов, Т. С. Турмагамбетов, В. В. Ли, “Сравнение характеристик солнечных элементов, изготовленных из мультикристаллического кремния, и кремния полученного по технологии monolike”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1106–1112 ; A. A. Betekbaev, B. N. Mukashev, L. Pelissier, P. Lay, G. Fortin, L. Bounaas, D. M. Skakov, D. A. Kalygulov, T. S. Turmagambetov, V. V. Lee, “Comparison of the characteristics of solar cells fabricated from multicrystalline silicon with those fabricated from silicon obtained by the monolike technology”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1085–1091 |
5
|
|
2000 |
| 3. |
Б. Н. Мукашев, Х. А. Абдуллин, Ю. В. Горелкинский, “Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии”, УФН, 170:2 (2000), 143–155 ; B. N. Mukashev, Kh. A. Abdullin, Yu. V. Gorelkinskii, “Metastable and bistable defects in silicon”, Phys. Usp., 43:2 (2000), 139–150  |
59
|
|
1992 |
| 4. |
Б. Н. Мукашев, М. Ф. Тамендаров, С. Ж. Токмолдин, “Состояния водорода и механизмы пассивации примесей и радиационных
дефектов в кристаллическом кремнии”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1124–1134 |
|
1991 |
| 5. |
Х. А. Абдуллин, Б. Н. Мукашев, М. Ф. Тамендаров, “Исследование рекомбинационно-ускоренного отжига радиационных дефектов
в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 684–688 |
| 6. |
Х. А. Абдуллин, Б. Н. Мукашев, М. Ф. Тамендаров, Т. Б. Ташенов, “Электронная структура и свойства собственных междоузельных атомов
в кремнии”, Письма в ЖТФ, 17:18 (1991), 71–74 |
|
1988 |
| 7. |
С. Е. Абдулгафаров, А. П. Кока, Б. Н. Мукашев, Р. Е. Наурзалин, Б. М. Талибаев, Ю. Н. Токарев, “Исследование свойств пленок $a$-Si : H, имплантированных B$^{+}$
и BF$^{+}_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1171–1176 |
| 8. |
Б. Н. Мукашев, С. Ж. Токмолдин, М. Ф. Тамендаров, Х. А. Абдуллин, Е. В. Чихрай, “Пассивация примесей и радиационных дефектов водородом в кремнии
$p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1020–1024 |
| 9. |
Л. Г. Колодин, Б. Н. Мукашев, В. В. Смирнов, Е. В. Чихрай, “Диффузия радиационных дефектов из области упругого торможения ионов
фосфора в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 821–823 |
|
1986 |
| 10. |
Б. Н. Мукашев, М. Ф. Тамендаров, Л. Г. Колодин, В. В. Смирнов, С. Ж. Токмолдин, “Пассивирование водородом дефектных состояний на поверхности
и в объеме кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 773–775 |
|
Обратная связь: