Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1106–1112 (Mi phts6395)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Сравнение характеристик солнечных элементов, изготовленных из мультикристаллического кремния, и кремния полученного по технологии monolike

А. А. Бетекбаевa, Б. Н. Мукашевa, L. Pelissierb, P. Layb, G. Fortinb, L. Bounaasb, Д. М. Скаковa, Д. А. Калыгуловa, Т. С. Турмагамбетовa, В. В. Лиc

a ТОО "МК KazSilicon", Бастобе, Казахстан
b ECM Greentech, Гренобль, Франция
c ТОО "Kazakhstan Solar Silicon", Усть-Каменогорск, Казахстан
Аннотация: В целях повышения эффективности солнечных элементов и снижения затрат на производство был разработан процесс получения слитков кремния по так называемой технологии monolike. Новые технологии, использующие кремний “солнечного” качества, позволяют производить солнечные элементы при меньших затратах с высоким коэффициентом преобразования солнечной энергии. Именно поэтому процесс monolike был протестирован и оптимизирован для казахстанского кремния “солнечного” качества. Целью данной работы было сравнение характеристик солнечных элементов, полученных из кремния monolike, с солнечными элементами, созданными из мультикристаллического кремния, полученного методом направленной кристаллизации. Для исследования были выращены слитки мультикристаллического кремния в промышленных масштабах и при использовании казахстанского кремния, созданы солнечные элементы и исследованы характеристики полученных слитков кремния и солнечных элементов.
Поступила в редакцию: 17.11.2015
Принята в печать: 30.11.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 8, Pages 1085–1091
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616080091
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, L. Pelissier, P. Lay, G. Fortin, L. Bounaas, Д. М. Скаков, Д. А. Калыгулов, Т. С. Турмагамбетов, В. В. Ли, “Сравнение характеристик солнечных элементов, изготовленных из мультикристаллического кремния, и кремния полученного по технологии monolike”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1106–1112; Semiconductors, 50:8 (2016), 1085–1091
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BetMukPel16}
\by А.~А.~Бетекбаев, Б.~Н.~Мукашев, L.~Pelissier, P.~Lay, G.~Fortin, L.~Bounaas, Д.~М.~Скаков, Д.~А.~Калыгулов, Т.~С.~Турмагамбетов, В.~В.~Ли
\paper Сравнение характеристик солнечных элементов, изготовленных из мультикристаллического кремния, и кремния полученного по технологии monolike
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 8
\pages 1106--1112
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6395}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368970}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 8
\pages 1085--1091
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616080091}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6395
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i8/p1106
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024