|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2012 |
| 1. |
V. I. Sokolov, V. N. Churmanov, V. Yu. Ivanov, N. B. Gruzdev, P. S. Sokolov, A. N. Baranov, A. S. Moskvin, “Self-trapping of the $d$-$d$ charge transfer exciton in bulk NiO
evidenced by $X$-ray excited luminescence”, Письма в ЖЭТФ, 95:10 (2012), 595–600     ; JETP Letters, 95:10 (2012), 528–533 |
8
|
|
1992 |
| 2. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, А. А. Гореленок, Т. С. Лагунова, А. М. Литвак, М. А. Сиповская, С. П. Старосельцева, В. А. Тихомирова, В. В. Шерстнев, “Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида
индия”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1612–1624 |
| 3. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые лазеры на основе InAsSb/InAsSbP для спектроскопии
метана ($\lambda=3.2{-}3.4$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 18:22 (1992), 6–10 |
| 4. |
И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, А. В. Пенцов, Ю. П. Сморчкова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP и GaInAsSb
для спектрального диапазона 3$-$5 мкм”, Письма в ЖТФ, 18:17 (1992), 50–53 |
| 5. |
А. Н. Баранов, С. Ю. Белкин, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Генерация когерентного излучения на $n{-}n$-границе в ДГС GaInAsSb
лазерах”, Письма в ЖТФ, 18:17 (1992), 18–24 |
|
1991 |
| 6. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Влияние интерфейсной рекомбинации на пороговые характеристики
GaInAsSb/GaSb лазеров”, Письма в ЖТФ, 17:17 (1991), 54–59 |
|
1990 |
| 7. |
М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, А. П. Дмитриев, М. П. Михайлова, Ю. П. Сморчкова, И. Н. Тимченко, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, И. Н. Яссиевич, “Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых
растворов GaSb$-$InAs”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1397–1406 |
| 8. |
А. Н. Титков, В. Н. Чебан, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, Ю. П. Яковлев, “Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа
GalnAsSb/GaSb”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1056–1061 |
| 9. |
А. Н. Баранов, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев, “Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов
$p$-GaInSbAs”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 98–103 |
| 10. |
А. Н. Баранов, А. Н. Именков, О. П. Капранчик, Валер. В. Негрескул, А. Г. Чернявский, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые светодиоды на основе гетеропереходов
InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}\bigr|$InAs
($\lambda=3.0{-}4.8$ мкм при 300 K)
с широкозонным «окном»”, Письма в ЖТФ, 16:16 (1990), 42–47 |
| 11. |
В. Г. Аветисов, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, А. И. Надеждинский, А. Н. Хуснутдинов, Ю. П. Яковлев, “Измерение ширины линии излучения длинноволновых инжекционных лазеров
на основе GaInAsSb”, Письма в ЖТФ, 16:14 (1990), 66–70 |
| 12. |
А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, A. M. Литвак, А. А. Попов, Н. А. Чарыков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Получение твердых растворов
In$_{x}{-}\text{Ga}_{1-x}{-}\text{As}_{y}{-}\text{Sb}_{1-y}$,
изопериодных к CaSb, вблизи границы области несмешиваемости”, Письма в ЖТФ, 16:5 (1990), 33–38 |
| 13. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, И. Н. Тимченко, В. Е. Шестнев, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды на основе
InAs/InAsSbP для спектрального диапазона
2$-$3.5 мкм”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 27–32 |
|
1989 |
| 14. |
А. Андаспаева, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, Е. А. Сидоренкова, Ю. П. Яковлев, “Высокоэффективные светодиоды на основе
GaInAsSb для спектрального диапазона
1.8$-$2.4 мкм ($T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 15:18 (1989), 71–75 |
| 15. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, Н. Н. Марьинская, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Малошумящие лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения
и умножения для области спектра
1.6$-$2.4 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:17 (1989), 71–76 |
| 16. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, С. Г. Конников, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, О. В. Салата, В. Б. Уманский, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Сверхбыстродействующий
$p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb
для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:7 (1989), 15–19 |
|
1988 |
| 17. |
А. Н. Баранов, Е. А. Гребенщикова, Б. Е. Джуртанов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые лазеры на основе твердых растворов
GaInAsSb вблизи границы несмешиваемости
($\lambda=2.5$ мкм, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 14:20 (1988), 1839–1843 |
| 18. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, A. M. Литвак, В. Е. Усманский, Ю. П. Яковлев, “Генерация излучения в канальном зарощенном лазере на основе
GaInAsSb/GaSb в непрерывном режиме ($T=20$ C, $\lambda=2.0$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988), 1671–1675 |
| 19. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Лавинный фотодиод с разделенными областями поглощения
и умножения
на основе GaInAsSb/GaAlAsSb”, Письма в ЖТФ, 14:11 (1988), 986–991 |
| 20. |
А. Андаспаева, А. Н. Баранов, А. Гусейнов, А. Н. Именков, Л. М. Литвак, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Высокоэффективные светодиоды на основе
GaInAsSb ($\lambda=2.2$ мкм,
$\eta=4$%, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 14:9 (1988), 845–849 |
| 21. |
И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, А. А. Рогачев, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Усиление фототока в изотипной
структуре $n{-}n$ GaSb$-$GaInAsSb”, Письма в ЖТФ, 14:5 (1988), 389–393 |
| 22. |
А. Н. Баранов, П. Е. Дышловенко, А. А. Копылов, В. В. Шерстнев, “Длинноволновое оптическое поглощение в $p$-GaSb”, Письма в ЖТФ, 14:1 (1988), 64–68 |
|
1987 |
| 23. |
Н. С. Аверкиев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. П. Яковлев, “Поляризация излучения в квантово-размерном лазере на одном гетеропереходе”, Письма в ЖТФ, 13:6 (1987), 332–337 |
|
1985 |
| 24. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Н. С. Зимогорова, Л. М. Канская, Ю. П. Яковлев, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев антимонида галлия, выращенных
из расплавов, обогащенных сурьмой”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1676–1679 |
| 25. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Б. В. Царенков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Координатная зависимость разности коэффициентов в варизонной
$p{-}n$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 502–506 |
| 26. |
Н. Т. Баграев, А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Ю. Н. Толпаров, Ю. П. Яковлев, “Подавление природных акцепторов в $Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:2 (1985), 117–121 |
|
1984 |
| 27. |
А. Н. Баранов, Н. А. Берт, С. Г. Конников, В. И. Литманович, Т. С. Рогунова, Ю. П. Яковлев, “Неоднородное умножение в лавинных
фотодиодах с несоотвествием периодов решеток на гетерогранице”, Письма в ЖТФ, 10:22 (1984), 1360–1364 |
|
1983 |
| 28. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Б. В. Царенков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения
в варизонной $p{-}n$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 753–755 |
| 29. |
А. Н. Баранов, С. Г. Конников, Т. Е. Попова, Ю. П. Яковлев, “Мышьяк в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$Sb$_{1-y}$As$_{y}$/GaSb: коэффициент
сегрегации и распределение по толщине эпитаксиальных слоев”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983), 645–648 |
|
Обратная связь: