Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, том 95, выпуск 10, страницы 595–600 (Mi jetpl2560)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Self-trapping of the $d$-$d$ charge transfer exciton in bulk NiO evidenced by $X$-ray excited luminescence

V. I. Sokolova, V. N. Churmanovb, V. Yu. Ivanovb, N. B. Gruzdeva, P. S. Sokolovc, A. N. Baranovc, A. S. Moskvinb

a Institute of Metal Physics, Ural Division of the Russian Academy of Sciences
b Ural Federal University named after the First President of Russia B. N. Yeltsin, Ekaterinburg
c M. V. Lomonosov Moscow State University
Список литературы:
Аннотация: Soft $X$-ray (XUV) excitation did make it possible to avoid the predominant role of the surface effects in luminescence of NiO and revealed a bulk luminescence with a puzzling well isolated doublet of very narrow lines with close energies near $3.3$ eV which is assigned to recombination transitions in self-trapped $d$-$d$ charge transfer (CT) excitons formed by coupled Jahn–Teller Ni$^+$ and Ni$^{3+}$ centers. The conclusion is supported both by a comparative analysis of the CT luminescence spectra for NiO and solid solutions Ni$_{x}$Zn$_{1-x}$O, and by a comprehensive cluster model assignement of different $p$-$d$ and $d$-$d$ CT transitions, their relaxation channels. To the best of our knowledge it is the first observation of the luminescence due to self-trapped $d$-$d$ CT excitons.
Поступила в редакцию: 04.04.2012
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2012, Volume 95, Issue 10, Pages 528–533
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364012100116
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: V. I. Sokolov, V. N. Churmanov, V. Yu. Ivanov, N. B. Gruzdev, P. S. Sokolov, A. N. Baranov, A. S. Moskvin, “Self-trapping of the $d$-$d$ charge transfer exciton in bulk NiO evidenced by $X$-ray excited luminescence”, Письма в ЖЭТФ, 95:10 (2012), 595–600; JETP Letters, 95:10 (2012), 528–533
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SokChuIva12}
\by V.~I.~Sokolov, V.~N.~Churmanov, V.~Yu.~Ivanov, N.~B.~Gruzdev, P.~S.~Sokolov, A.~N.~Baranov, A.~S.~Moskvin
\paper Self-trapping of the $d$-$d$ charge transfer exciton in bulk NiO
evidenced by $X$-ray excited luminescence
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2012
\vol 95
\issue 10
\pages 595--600
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2560}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=17797385}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2012
\vol 95
\issue 10
\pages 528--533
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364012100116}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000306950800007}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20475097}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84864390747}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2560
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v95/i10/p595
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:211
    PDF полного текста:45
    Список литературы:34
    Первая страница:6
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024