|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2013 |
| 1. |
Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, В. С. Варавин, М. В. Якушев, С. А. Дворецкий, “Двухчастотное стимулированное излучение из двухслойной структуры
Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te на длинах волн 2 и 3 мкм”, Письма в ЖЭТФ, 97:6 (2013), 404–408   ; Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, V. S. Varavin, M. V. Yakushev, S. A. Dvoretskii, “Dual-wavelength stimulated emission from a double-layer Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te structure at wavelengths of 2 and 3 $\mu$m”, JETP Letters, 97:6 (2013), 358–361   |
2
|
|
2010 |
| 2. |
А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, А. П. Васильев, А. Е. Жуков, В. М. Устинов, “Стимулированное излучение квантовых точек при оптической накачке”, Квантовая электроника, 40:7 (2010), 579–582 [A. A. Andronov, Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, A. P. Vasil'ev, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, “Stimulated emission from optically pumped quantum dots”, Quantum Electron., 40:7 (2010), 579–582 ] |
|
2009 |
| 3. |
А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, А. Н. Яблонский, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, “Переключение длины волны стимулированного излучения в лазерных гетероструктурах InGaAs/AlGaInAs при оптической накачке”, Квантовая электроника, 39:3 (2009), 247–250 [A. A. Andronov, Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, A. N. Yablonskii, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, “Stimulated-emission wavelength switching in optically pumped InGaAs/AlGaInAs laser heterostructures”, Quantum Electron., 39:3 (2009), 247–250 ] |
2
|
|
2004 |
| 4. |
Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, А. П. Котков, А. Н. Моисеев, Н. Д. Гришнова, “Стимулированное излучение из Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te на длине волны 3400 нм при 77 К”, Письма в ЖЭТФ, 80:1 (2004), 29–31 ; Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, A. P. Kotkov, A. N. Moiseev, N. D. Grishnova, “Induced emission from Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1−x</sub>Te at a wavelength of 3400 nm at 77 K”, JETP Letters, 80:1 (2004), 23–25 |
9
|
|
1990 |
| 5. |
Г. М. Генкин, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, В. Н. Шастин, “Исследование $n$-HgTe в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1616–1617 |
|
1989 |
| 6. |
Г. М. Генкин, А. В. Окомельков, “Горячие носители в узкощелевых полупроводниках в сильном
электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 630–635 |
|
1988 |
| 7. |
Г. М. Генкин, А. В. Окомельков, И. Д. Токман, “Инверсия населенностей в узкощелевых полупроводниках
при фотонакачке”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2151–2155 |
| 8. |
Г. М. Генкин, А. В. Окомельков, “Инверсия населенностей при неомическом разогреве в бесщелевых
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1085–1090 |
| 9. |
Г. М. Генкин, А. В. Окомельков, “Инверсия населенностей на межзонных переходах в полупроводниках
в постоянном электрическом поле”, Письма в ЖТФ, 14:22 (1988), 2084–2089 |
|
1987 |
| 10. |
Г. М. Генкин, А. В. Окомельков, “Стационарная концентрация горячих носителей в бесщелевых
полупроводниках в условиях стриминга”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1317–1319 |
| 11. |
Г. М. Генкин, А. В. Окомельков, И. Д. Токман, “Инверсия населенностей при межзонной накачке в бесщелевых полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 13:1 (1987), 30–35 |
|
1986 |
| 12. |
Г. М. Генкин, А. В. Окомельков, “Анизотропные распределения горячих носителей в вырожденных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1685–1689 |
|
1984 |
| 13. |
А. М. Белянцев, А. В. Окомельков, “Влияние эффекта экранирования на нелинейные характеристики
классических сверхрешеток”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1214–1219 |
|
Обратная связь: