|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
А. В. Бабичев, Е. С. Колодезный, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, Г. В. Вознюк, М. И. Митрофанов, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, Д. И. Курицын, В. В. Дюделев, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, В. П. Евтихиев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, С. В. Морозов, Г. С. Соколовский, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1081–1085 ; A. V. Babichev, E. S. Kolodeznyi, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, G. V. Voznyuk, M. I. Mitrofanov, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, D. I. Kuritsyn, V. V. Dyudelev, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, V. P. Evtikhiev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, S. V. Morozov, G. S. Sokolovskii, N. A. Pikhtin, A. Yu. Egorov, “Quantum-cascade laser with radiation output through a textured layer”, Semiconductors, 56:1 (2022), 1–4 |
2. |
В. С. Евстигнеев, А. В. Чилясов, А. Н. Моисеев, С. В. Морозов, Д. И. Курицын, “Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 9–15 ; V. S. Evstigneev, A. V. Chilyasov, A. N. Moiseev, S. V. Morozov, D. I. Kuritsyn, “Arsenic doping upon the deposition of CdTe layers from dimethylcadmium and diisopropyltellurium”, Semiconductors, 55:1 (2021), 7–13 |
1
|
|
2016 |
3. |
В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, Д. И. Курицын, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen, “Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1587–1591 ; V. N. Trukhin, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, G. E. Cirlin, D. I. Kuritsyn, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen, “Resonant features of the terahertz generation in semiconductor nanowires”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1561–1565 |
5
|
|
2011 |
4. |
В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, “Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре
с квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011), 890–894 ; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, “Near-field mechanism of photoluminescence excitation in quantum well heterostructures”, JETP Letters, 94:11 (2011), 811–815 |
2
|
5. |
В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, C. B. Sorensen, “Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011), 437–441 ; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, C. B. Sorensen, “Optical detection of an electric field in a GaAs/AlGaAs $n{-}i{-}n$ heterostructure with double quantum wells”, JETP Letters, 93:7 (2011), 394–398 |
|