Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Крыжков Денис Игоревич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 4
Научных статей: 4

Статистика просмотров:
Эта страница:95
Страницы публикаций:835
Полные тексты:232
Списки литературы:140
кандидат физико-математических наук (2004)
Специальность ВАК: 05.27.01 (твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах)
E-mail:
Сайт: http://www.ipmras.ru/institute/persons/staff/282-kryzhkov-denis-igorevich/

Научная биография:

Крыжков, Денис Игоревич. Люминесцентные свойства структур на основе кремния в области длин волн 1,5-1,6 мкм : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 05.27.01. - Нижний Новгород, 2004. - 126 с. : ил.


https://www.mathnet.ru/rus/person70539
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2016
1. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, “Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1720–1724  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, “The exciton excitations and relaxation processes in low-dimensional semiconductor heterostructures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1691–1695
2014
2. К. Е. Кудрявцев, Д. И. Крыжков, Л. В. Красильникова, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник, “Сечение поглощения для перехода $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  913–918  mathnet  elib; K. E. Kudryavtsev, D. I. Kryzhkov, L. V. Krasil’nikova, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin, B. A. Andreev, Z. F. Krasil'nik, “Absorption cross section for the $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ transition of Er$^{3+}$ in Si:Er:O/SOI epitaxial layers”, JETP Letters, 100:12 (2014), 807–811  isi  elib  scopus 4
2011
3. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, “Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011),  890–894  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, “Near-field mechanism of photoluminescence excitation in quantum well heterostructures”, JETP Letters, 94:11 (2011), 811–815  isi  elib  scopus 2
4. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, C. B. Sorensen, “Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011),  437–441  mathnet; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, C. B. Sorensen, “Optical detection of an electric field in a GaAs/AlGaAs $n{-}i{-}n$ heterostructure with double quantum wells”, JETP Letters, 93:7 (2011), 394–398  isi  scopus

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024