Окончил МИЭТ в 1981 г., по распределению работал в НИИМЭ, а затем был призван в армию.
В МИЭТ работает с 1984 г.
С 2005 г. — зав. кафедрой микроэлектроники МИЭТ.
С 2007 г. — профессор.
В 2007 г. — Лауреат Премии Правительства РФ в области науки
С 2017 г. — директор Института Института нано- и микросистемной техники (НМСТ) МИЭТ.
Тимошенков, Сергей Петрович.
Технология формирования структур "кремний на изоляторе" : диссертация ... доктора технических наук : 05.27.06. - Москва, 2004. - 334 с. : ил.
Основные публикации:
Вода на оксидных поверхностях и ее роль в процессах связывания кремниевых пластин : учеб. пос. / С. Н. Новиков, С. П. Тимошенков ; Минобрнауки РФ, Моск. гос. ин-т электр. (Техн. ун-т). - Москва : МИЭТ, 2004. - 103 с. : ил., табл.; 28 см.; ISBN 5-7256-0281-8
Оптико-электронные узлы электронно-вычислительных средств, измерительных приборов и устройств автоматики : учеб. пос. / Н. П. Захаров, С. П. Тимошенков, Ю. А. Крупнов. - Москва : Бином. Лаб. знаний, 2009. - 335 с. : ил.; ISBN 978-5-94774-906-9
Оценка и обеспечение надежности изделий микро- и наноэлектроники, микросистемной техники : учеб. пос. / С. П. Тимошенков [и др.] ; Минобрнауки РФ, Нац. иссл. ун-т "МИЭТ". - Москва : МИЭТ, 2012-. - 20 см.
Ч. 1. - 2012. - 287 с. : ил., табл.; ISBN 978-5-7256-0705-5
Ч. 2. - 2013. - 163 с. : ил.; ISBN 978-5-7256-0720-8
Микросистемные датчики физических величин / В. Д. Вавилов, С. П. Тимошенков, А. С. Тимошенков. - Москва : Техносфера, 2018. - 549 с. : ил.; 25 см. - (Мир электроники); ISBN 978-5-94836-498-8 : 200 кз.
В. С. Соловьёв, С. П. Тимошенков, А. С. Тимошенков, А. И. Виноградов, Н. М. Кондратьев, Н. А. Расщепкина, “Моделирование ввода излучения в плоские линейные волноводы с помощью дифракционных решёток для новой технологии изготовления волноводных систем”, Компьютерная оптика, 44:6 (2020), 917–922
С. А. Гаврилов, В. И. Графутин, О. В. Илюхина, Г. Г. Мясищева, Е. П. Прокопьев, С. П. Тимошенков, Ю. В. Фунтиков, “Прямое экспериментальное наблюдение атома позитрония в пористом кремнии методом позитронной аннигиляционной спектроскопии”, Письма в ЖЭТФ, 81:11 (2005), 680–682; S. A. Gavrilov, V. I. Grafutin, O. V. Ilyukhina, G. G. Myasishcheva, E. P. Prokop’ev, S. P. Timoshenkov, Yu. V. Funtikov, “Direct experimental observation of the positronium atom in porous silicon by positron annihilation spectroscopy”, JETP Letters, 81:11 (2005), 548–550
Ю. Н. Адищев, А. С. Артемов, С. В. Афанасьев, В. В. Бойко, М. А. Воеводин, В. И. Волков, А. С. Гоголев, В. Н. Забаев, А. Н. Ефимов, Ю. В. Ефремов, А. Д. Коваленко, Ю. Л. Пивоваров, А. П. Потылицын, С. В. Романов, Ш. З. Сайфулин, Е. А. Силаев, А. М. Таратин, С. П. Тимошенков, С. Р. Углов, “Обнаружение параметрического рентгеновского излучения умеренно релятивистских протонов в кристаллах”, Письма в ЖЭТФ, 81:6 (2005), 305–308; Yu. N. Adishchev, A. S. Artemov, S. V. Afanasiev, V. V. Boiko, M. A. Voevodin, V. I. Volkov, A. S. Gogolev, V. N. Zabaev, A. N. Efimov, Yu. V. Efremov, A. D. Kovalenko, Yu. L. Pivovarov, A. P. Potylitsyn, S. V. Romanov, Sh. Z. Saifulin, E. A. Silaev, A. M. Taratin, S. P. Timoshenkov, S. R. Uglov, “Detection of parametric X-ray radiation from moderately relativistic protons in crystals”, JETP Letters, 81:6 (2005), 241–244
Обратная связь: