Научная биография: |
Светлов, Сергей Петрович.
Исследование влияния условий осаждения на рост слоёв кремния при сублимации в вакууме : Автореферат дис. на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук. 01.04.07 / Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского. - Горький : [б. и.], 1975. - 21 л. |
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2015 |
| 1. |
П. Б. Болдыревский, А. Г. Коровин, С. А. Денисов, С. П. Светлов, В. Г. Шенгуров, “Анализ неравномерности толщины эпитаксиального слоя кремния при осаждении из сублимационных источников в вакууме”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2015, № 4, 93–100  |
|
2005 |
| 2. |
М. В. Степихова, Д. М. Жигунов, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Тимошенко, Л. В. Красильникова, В. Ю. Чалков, С. П. Светлов, О. А. Шалыгина, П. К. Кашкаров, З. Ф. Красильник, “Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия”, Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005), 614–617 ; M. V. Stepikhova, D. M. Zhigunov, V. G. Shengurov, V. Yu. Timoshenko, L. V. Krasil’nikova, V. Yu. Chalkov, S. P. Svetlov, O. A. Shalygina, P. K. Kashkarov, Z. F. Krasil'nik, “Population inversion of the energy levels of erbium ions induced by excitation transfer from the semiconductor matrix in Si-Ge based structures”, JETP Letters, 81:10 (2005), 494–497   |
12
|
|
Обратная связь: