|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. О. Петрушков, М. А. Путято, “Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 19–27   ; I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, “X-ray diffraction analysis of epitaxial layers with the properties of a dislocation filter”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 562–565 |
|
2017 |
| 2. |
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. А. Путято, М. Ю. Есин, М. О. Петрушков, “Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)”, Письма в ЖТФ, 43:4 (2017), 64–71 ; I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, M. A. Putyato, M. Yu. Yesin, M. O. Petrushkov, “The structural state of epitaxial GaP films of different polarities grown on misoriented Si(001) substrates”, Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 213–215 |
3
|
|
2010 |
| 3. |
C. А. Тийс, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, А. К. Гутаковский, А. В. Колесников, “Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в квазиравновесных условиях роста”, Письма в ЖЭТФ, 92:6 (2010), 429–437 ; S. A. Teys, E. M. Trukhanov, A. S. Il'in, A. K. Gutakovskii, A. V. Kolesnikov, “Initial stages of Ge epitaxy on Si(111) under quasi-equilibrium growth conditions”, JETP Letters, 92:6 (2010), 388–395   |
13
|
|
Обратная связь: