Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Асфандиаров Наиль Лутфурахманович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 11
Научных статей: 11

Статистика просмотров:
Эта страница:690
Страницы публикаций:892
Полные тексты:331
Списки литературы:71
профессор
доктор физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person61416
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2022
1. С. А. Пшеничнюк, Н. Л. Асфандиаров, А. С. Воробьев, Ш. Матейчик, “Современное состояние и перспективы спектроскопии диссоциативного захвата электронов”, УФН, 192:2 (2022),  177–204  mathnet; S. A. Pshenichnyuk, N. L. Asfandiarov, A. S. Vorob'ev, Š. Matejčík, “State of the art in dissociative electron attachment spectroscopy and its prospects”, Phys. Usp., 65:2 (2022), 163–188  isi  scopus 19
2021
2. А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова, В. С. Соболев, Е. В. Жижин, С. А. Пшеничнюк, Н. Л. Асфандиаров, B. Handke, “Незаполненные электронные состояния ультратонких пленок кватерфенила на поверхностях послойно сформированного CdS и окисленного кремния”, Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1177–1182  mathnet; A. S. Komolov, E. F. Lazneva, N. B. Gerasimova, V. S. Sobolev, E. V. Zhizhin, S. A. Pshenichnyuk, N. L. Asfandiarov, B. Handke, “Unoccupied electron states of ultrathin quaterphenyl films on the surfaces of layered CdS and oxidized silicon”, Phys. Solid State, 63:8 (2021), 1205–1210
3. А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова, В. С. Соболев, С. А. Пшеничнюк, Н. Л. Асфандиаров, В. А. Крайкин, B. Handke, “Незаполненные электронные состояния и потенциальный барьер в пленках замещенных дифенилфталидов на поверхности высокоупорядоченного пиролитического графита”, Физика твердого тела, 63:2 (2021),  299–303  mathnet  elib; A. S. Komolov, E. F. Lazneva, N. B. Gerasimova, V. S. Sobolev, S. A. Pshenichnyuk, N. L. Asfandiarov, V. A. Kraikin, B. Handke, “Unoccupied electronic states and potential barrier in films of substituted diphenylphthalides on the surface of highly ordered pyrolytic graphite”, Phys. Solid State, 63:2 (2021), 362–367 3
2020
4. А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова, А. В. Барамыгин, В. С. Соболев, С. А. Пшеничнюк, Н. Л. Асфандиаров, В. А. Крайкин, B. Handke, “Плотность свободных электронных состояний полупроводниковых пленок молекул нафталина и дифенилфталида, модифицированных электроактивными функциональными группами”, Физика твердого тела, 62:7 (2020),  1116–1121  mathnet  elib; A. S. Komolov, E. F. Lazneva, N. B. Gerasimova, A. V. Baramygin, V. S. Sobolev, S. A. Pshenichnyuk, N. L. Asfandiarov, V. A. Kraikin, B. Handke, “Density of vacant electronic states of semiconductor films of molecules of naphthalene and diphenylphthalide modified by electroactive functional groups”, Phys. Solid State, 62:7 (2020), 1256–1261 1
5. А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова, В. С. Соболев, Ю. А. Панина, С. А. Пшеничнюк, Н. Л. Асфандиаров, B. Handke, “Прохождение низкоэнергетических электронов и плотность незаполненных состояний сверхтонких слоев TCNQ на поверхности окисленного кремния”, Физика твердого тела, 62:7 (2020),  1105–1110  mathnet  elib; A. S. Komolov, E. F. Lazneva, N. B. Gerasimova, V. S. Sobolev, Yu. A. Panina, S. A. Pshenichnyuk, N. L. Asfandiarov, B. Handke, “Propagation of low-energy electrons and the density of unoccupied states in ultrathin TCNQ layers on the oxidized silicon surface”, Phys. Solid State, 62:7 (2020), 1245–1250 4
6. М. М. Таюпов, Р. Г. Рахмеев, Н. Л. Асфандиаров, С. А. Пшеничнюк, “Определение сродства к электрону на основе экспериментально измеренных времен жизни отрицательных молекулярных ионов производных кумарина”, Математическая физика и компьютерное моделирование, 23:3 (2020),  45–59  mathnet
2019
7. А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова, В. С. Соболев, С. А. Пшеничнюк, Н. Л. Асфандиаров, В. А. Крайкин, B. Handke, “Незаполненные электронные состояния ультратонких пленок дифенилфталида на поверхности высокоупорядоченного пиролитического графита”, Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1960–1964  mathnet  elib; A. S. Komolov, E. F. Lazneva, N. B. Gerasimova, V. S. Sobolev, S. A. Pshenichnyuk, N. L. Asfandiarov, V. A. Kraikin, B. Handke, “The unoccupied electronic states of the ultrathin diphenylphthalide films on the surface of the highly oriented pyrolytic graphite”, Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1922–1926 3
8. А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова, В. С. Соболев, Ю. А. Панина, С. А. Пшеничнюк, Н. Л. Асфандиаров, “Атомный состав и морфология тонких пленок ресвератрола на поверхности окисленного кремния и поликристаллического золота”, Физика твердого тела, 61:3 (2019),  598–603  mathnet  elib; A. S. Komolov, E. F. Lazneva, N. B. Gerasimova, V. S. Sobolev, Yu. A. Panina, S. A. Pshenichnyuk, N. L. Asfandiarov, “Atomic composition and morphology of thin films of resveratrol deposited on oxidized silicon and polycrystalline gold surfaces”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 468–473 3
2018
9. Н. Л. Асфандиаров, С. А. Пшеничнюк, Р. Г. Рахмеев, А. Н. Лачинов, В. А. Крайкин, “Образование и распад отрицательных ионов производных фталида”, ЖТФ, 88:7 (2018),  1085–1090  mathnet  elib; N. L. Asfandiarov, S. A. Pshenichnyuk, R. G. Rakhmeev, A. N. Lachinov, V. A. Kraikin, “Generation and fragmentation of phthalide derivative negative ions”, Tech. Phys., 63:7 (2018), 1054–1059 6
2010
10. Н. Л. Асфандиаров, С. А. Пшеничнюк, А. С. Воробьев, Е. П. Нафикова, “О механизме задержки распада двухатомного отрицательного иона Cl$_2^-$ до микросекундных времен”, Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010),  331–335  mathnet; N. L. Asfandiarov, S. A. Pshenichnyuk, A. S. Vorob'ev, E. P. Nafikova, “On the delay mechanism of Cl <sub>2</sub><sup>−</sup> diatomic anion dissociation up to the microsecond timescale”, JETP Letters, 92:5 (2010), 295–299  isi  scopus 1
1987
11. В. И. Хвостенко, Н. Л. Асфандиаров, Г. А. Толстиков, “Механизм образования молекулярных отрицательных ионов при низкой энергии электронов молекулами металлоценов”, Докл. АН СССР, 292:4 (1987),  840–844  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024