|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2013 |
1. |
М. В. Голубков, Ю. И. Горина, Г. А. Калюжная, Д. А. Князев, Т. А. Романова, В. В. Родин, А. В. Садаков, Н. Н. Сентюрина, В. А. Степанов, С. Г. Черноок, С. И. Веденеев, “Квантовые осцилляции в сильнолегированных халькогенидах
висмута”, Письма в ЖЭТФ, 98:8 (2013), 533–538 ; M. V. Golubkov, Yu. I. Gorina, G. A. Kalyuzhnaya, D. A. Knyazev, T. A. Romanova, V. V. Rodin, A. V. Sadakov, N. N. Sentyurina, V. A. Stepanov, S. G. Chernook, S. I. Vedeneev, “Quantum oscillations in heavily doped bismuth chalcogenides”, JETP Letters, 98:8 (2013), 475–479 |
6
|
|
2006 |
2. |
D. A. Knyazev, O. E. Omel'yanovskii, V. M. Pudalov, I. S. Burmistrov, “Critical behavior of transport and magnetotransport in 2D electron system in Si in the vicinity of the metal-insulator transition”, Письма в ЖЭТФ, 84:12 (2006), 780–1 ; JETP Letters, 84:12 (2006), 662–666 |
20
|
3. |
Д. А. Князев, О. Е. Омельяновский, А. С. Дормидонтов, В. М. Пудалов, “Транспорт заряда в спин-поляризованной двумерной электронной системе в кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 83:8 (2006), 390–394 ; D. A. Knyazev, O. E. Omel'yanovskii, A. S. Dormidontov, V. M. Pudalov, “Charge transport in a spin-polarized 2D electron system in silicon”, JETP Letters, 83:8 (2006), 332–335 |
1
|
|
2005 |
4. |
А. В. Кунцевич, Д. А. Князев, В. И. Козуб, В. М. Пудалов, Г. Брунтхалер, Г. Бауер, “Немонотонная температурная зависимость холловского сопротивления 2D системы электронов в Si”, Письма в ЖЭТФ, 81:8 (2005), 502–506 ; A. V. Kuntsevich, D. A. Knyazev, V. I. Kozub, V. M. Pudalov, G. Brunthaler, G. Bauer, “Nonmonotonic temperature dependence of the Hall resistance of a 2D electron system in silicon”, JETP Letters, 81:8 (2005), 409–412 |
7
|
|