Немонотонная температурная зависимость холловского сопротивления 2D системы электронов в Si

Для двумерной системы электронов в кремнии измерена температурная зависимость холловского сопротивления $\rho_{xy}(T)$ в слабом магнитном поле, в той области температур $(1-35)$ К и концентраций носителей $n$, в которой диагональная компонента сопротивления демонстрирует “металлическое” поведение. Обнаружено, что зависимости $\rho_{xy}(T)$ при разных $n$ немонотонны и имеют максимум при температуре $T_{\rm max} \sim 0.16T_{\rm F}$. При низких температурах ($T<T_{\rm max}$) изменение $\delta\rho_{xy}(T)$ существенно превышает квантовую поправку за счет взаимодействия и качественно согласуется с квазиклассическим результатом, учитывающим только уширение фермиевского распределения. При высоких температурах ($T>T_{\rm max}$) зависимость $\rho_{xy}(T)$ может быть качественно объяснена как температурной зависимостью времени рассеяния, так и термоактивацией носителей из зоны локализованных состояний.