Окончил Белорусский политехнический институт (1961). С 1966 г. в Минском радиотехническом институте, с 1975 г. заведующий кафедрой, одновременно в 1987-1989 гг. академик-секретарь Отделения физики, математики и информатики АН БССР, в 1987-1992 гг. член Президиума АН БССР. В 1989-1991 гг. член Верховного Совета СССР. В 1990-1994 гг. член Коллегии МИД Республики Беларусь. В 1994-2001 гг. Чрезвычайный и Полномочный Посол Республики Беларусь в Бельгии, Нидерландах, Люксембурге; Постоянный представитель в Европейском Союзе и НАТО. В 2002-2009 гг. член Президиума Национальной академии наук Беларуси. В настоящее время главный научный сотрудник Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники.
Основные публикации:
1. Окисление металлов и полупроводников в низкотемпературной кислородной плазме (совм. с В.П. Пархутиком) // Обзоры по электронной технике. Серия Микроэлектроника. 1978. Вып. 1.
2. Современные системы ионной имплантации (совм. с Н.И. Даниловичем) // Зарубежная электронная техника. 1982. № 3.
3. Формирование силицидов импульсной термообработкой пленочных структур (в соавт.) // Там же. 1985. № 8.
Н. В. Гапоненко, П. А. Холов, Ю. Д. Корнилова, Е. И. Лашковская, В. А. Лабунов, И. Л. Мартынов, Е. В. Осипов, А. А. Чистяков, Н. И. Каргин, Т. Ф. Райченок, С. А. Тихомиров, “Фотонные кристаллы BaTiO$_{3}$/SiO$_{2}$, сформированные золь-гель методом”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 912–915; N. V. Gaponenko, P. A. Kholov, Yu. D. Kornilava, E. I. Lashkovskaya, V. A. Labunov, I. L. Martynov, E. V. Osipov, A. A. Chistyakov, N. I. Kargin, T. F. Raichenok, S. A. Tikhomirov, “Sol–gel derived photonic crystals BaTiO$_{3}$/SiO$_{2}$”, Semiconductors, 55:11 (2021), 831–834
А. А. Ковалевский, В. А. Лабунов, А. С. Строгова, В. В. Цыбульский, “Исследование особенностей образования полупроводникового дисилицида титана”, ЖТФ, 86:9 (2016), 62–64; A. A. Kovalevskii, V. A. Labunov, A. S. Strogova, V. V. Tsybul’skii, “Formation of semiconductor titanium disilicide”, Tech. Phys., 61:9 (2016), 1343–1345
С. К. Лазарук, А. В. Долбик, В. А. Лабунов, В. Е. Борисенко, “Шарообразные плазмоиды, образующиеся при горении и взрыве наноструктурированного гидрогенизированного кремния”, Письма в ЖЭТФ, 84:11 (2006), 695–699; S. K. Lazaruk, A. V. Dolbik, V. A. Labunov, V. E. Borisenko, “Spherical plasmoids formed upon the combustion and explosion of nanostructured hydrated silicon”, JETP Letters, 84:11 (2006), 581–584
А. В. Демчук, В. А. Лабунов, “Модификация морфологии поверхности аморфизованных слоев кремния
в режимах локального излучения наносекундной длительности”, ЖТФ, 61:9 (1991), 141–146
1990
5.
А. В. Демчук, В. А. Лабунов, “Дифракционные структуры в перекристаллизованных слоях
поликристаллического кремния под действием лазерного излучения наносекундной
длительности”, Письма в ЖТФ, 16:12 (1990), 18–22
1989
6.
А. В. Демчук, В. А. Лабунов, “Образование дендритных структур при перекристаллизации слоев
поликристаллического кремния лазерным излучением наносекундной длительности”, ЖТФ, 59:11 (1989), 146–148
7.
А. В. Демчук, Н. И. Данилович, В. А. Лабунов, “Образование ячеистой структуры на поверхности кремниевых слоев под
действием импульсного лазерного излучения наносекундной длительности”, ЖТФ, 59:9 (1989), 166–169
8.
А. В. Демчук, В. А. Лабунов, “Образование поверхностных периодических структур при
перекристаллизации капсулированных островков кремния лазерным излучением
наносекундной длительности”, Письма в ЖТФ, 15:1 (1989), 25–28
1986
9.
В. Е. Борисенко, Д. И. Заровский, В. А. Лабунов, А. Н. Ларсен, “Образование дисилицида титана при секундной термообработке пленок
титана на кремнии”, ЖТФ, 56:5 (1986), 981–983
10.
А. В. Демчук, А. М. Пристрем, Н. И. Данилович, В. А. Лабунов, “Образование поверхностных периодических структур на кремнии
при воздействии лазерного излучения миллисекундной длительности”, ЖТФ, 56:4 (1986), 810–813
11.
В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко, В. А. Лабунов, “Диффузия мышьяка через пористый кремний при секундной термообработке
некогерентным светом”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 929–933
Обратная связь: