Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 912–915
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51443.42 (Mi phts4962) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Фотонные кристаллы BaTiO$_{3}$/SiO$_{2}$, сформированные золь-гель методом

Н. В. Гапоненкоab, П. А. Холовac, Ю. Д. Корниловаa, Е. И. Лашковскаяa, В. А. Лабуновab, И. Л. Мартыновb, Е. В. Осиповb, А. А. Чистяковb, Н. И. Каргинb, Т. Ф. Райченокd, С. А. Тихомировd

a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН Республики Таджикистан, г. Душанбе
d Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
PDF полного текста (577 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51443.42
Аннотация: Впервые показано, что многослойные периодические структуры BaTiO$_{3}$/SiO$_{2}$, сформированные золь-гель методом, являются перестраиваемыми фотонными кристаллами c зависимостью фотонной запрещенной зоны от температуры образца. Сдвиг минимума в спектре отражения в области фотонной запрещенной зоны наблюдается от 616 до 610 нм в диапазоне температур образца от +184 до +24$^\circ$С соответственно и воспроизводится для нескольких образцов, синтезированных при температуре 450$^\circ$С.
Ключевые слова: золь-гель, титанат бария, перестраиваемый фотонный кристалл.
Финансовая поддержка Номер гранта
Государственный комитет по науке и технологиям Республики Беларусь Т19-МЛДГ
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований Х20Р-388
Российский фонд фундаментальных исследований 20-52-00039 Бел_а
Работа выполнена при финансовой поддержке грантов Государственного комитета по науке и технологиям Республики Беларусь Т19-МЛДГ и Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований Х20Р-388 (совместный грант Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники и Института физики микроструктур РАН, РФФИ 20-52-00039 Бел_а).
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 11, Pages 831–834
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621100110
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Гапоненко, П. А. Холов, Ю. Д. Корнилова, Е. И. Лашковская, В. А. Лабунов, И. Л. Мартынов, Е. В. Осипов, А. А. Чистяков, Н. И. Каргин, Т. Ф. Райченок, С. А. Тихомиров, “Фотонные кристаллы BaTiO$_{3}$/SiO$_{2}$, сформированные золь-гель методом”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 912–915; Semiconductors, 55:11 (2021), 831–834
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GapKhoKor21}
\by Н.~В.~Гапоненко, П.~А.~Холов, Ю.~Д.~Корнилова, Е.~И.~Лашковская, В.~А.~Лабунов, И.~Л.~Мартынов, Е.~В.~Осипов, А.~А.~Чистяков, Н.~И.~Каргин, Т.~Ф.~Райченок, С.~А.~Тихомиров
\paper Фотонные кристаллы BaTiO$_{3}$/SiO$_{2}$, сформированные золь-гель методом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 912--915
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4962}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51443.42}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46486068}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 831--834
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621100110}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4962
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p912
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:29
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024