|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко, “Многофононная ионизация глубоких центров в аморфном нитриде бора”, Письма в ЖЭТФ, 114:7 (2021), 498–501  ; Yu. N. Novikov, V. A. Gritsenko, “Multiphonon ionization of deep centers in amorphous boron nitride”, JETP Letters, 114:7 (2021), 433–436   |
4
|
|
2019 |
| 2. |
Т. В. Перевалов, В. А. Володин, Ю. Н. Новиков, Г. Н. Камаев, В. А. Гриценко, И. П. Просвирин, “Наноразмерные флуктуации потенциала в SiO$_{x}$, синтезированном плазмохимическим осаждением”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2528–2535  ; T. V. Perevalov, V. A. Volodin, Yu. N. Novikov, G. N. Kamaev, V. A. Gritsenko, I. P. Prosvirin, “Nanoscale potential fluctuations in SiO$_{x}$ synthesized by the plasma enhanced chemical vapor deposition”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2560–2568 |
2
|
|
2018 |
| 3. |
В. А. Гриценко, Ю. Н. Новиков, A. Chin, “Ближний порядок, транспорт заряда в SiO$_{x}$: эксперимент и численное моделирование”, Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 81–88 ; V. A. Gritsenko, Yu. N. Novikov, A. Chin, “Short-range order and charge transport in SiO$_{x}$: experiment and numerical simulation”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 541–544 |
1
|
|
2017 |
| 4. |
Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко, “Релаксация тока в Si$_{3}$N$_{4}$: эксперимент и численное моделирование”, Физика твердого тела, 59:1 (2017), 49–53 ; Yu. N. Novikov, V. A. Gritsenko, “Relaxation of the electric current in Si$_{3}$N$_{4}$: Experiment and numerical simulation”, Phys. Solid State, 59:1 (2017), 47–52 |
2
|
| 5. |
Ю. Н. Новиков, “Дырочно-стимулированный перенос ловушек в диэлектриках”, Письма в ЖЭТФ, 105:10 (2017), 605–609 ; Yu. N. Novikov, “Hole-stimulated transfer of traps in dielectrics”, JETP Letters, 105:10 (2017), 646–650 |
|
2009 |
| 6. |
Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко, К. А. Насыров, “Многофононный механизм ионизации ловушек в Al$_2$O$_3$: эксперимент и численное моделирование”, Письма в ЖЭТФ, 89:10 (2009), 599–602 ; Yu. N. Novikov, V. A. Gritsenko, K. A. Nasyrov, “Multiphonon mechanism of the ionization of traps in Al$_2$O$_3$Experiment and numerical simulation”, JETP Letters, 89:10 (2009), 506–509 |
19
|
|
2003 |
| 7. |
К. А. Насыров, Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко, С. Ю. Юн, Ч. В. Ким, “Многофононная ионизация глубоких центров в аморфном нитриде кремния: эксперимент и численное моделирование”, Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003), 455–458 ; K. A. Nasyrov, Yu. N. Novikov, V. A. Gritsenko, S. Y. Yoon, C. W. Kim, “Multiphonon ionization of deep centers in amorphous silicon nitride: Experiment and numerical simulations”, JETP Letters, 77:7 (2003), 385–388 |
12
|
|
Обратная связь: