|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2009 |
| 1. |
Б. А. Андреев, А. А. Ежевский, Н. В. Абросимов, П. Г. Сенников, Х.-Й. Поль, “Зависимость энергии резонансных состояний акцептора в кремнии от изотопного состава матрицы”, Письма в ЖЭТФ, 90:6 (2009), 501–504  ; B. A. Andreev, A. A. Ezhevskii, N. V. Abrosimov, P. G. Sennikov, H. Pol, “Dependence of the energy of the resonance states of an acceptor in silicon on the host isotopic mass”, JETP Letters, 90:6 (2009), 455–458   |
| 2. |
П. Г. Сенников, С. В. Голубев, В. И. Шашкин, Д. А. Пряхин, М. Н. Дроздов, Б. А. Андреев, Ю. Н. Дроздов, А. С. Кузнецов, Х.-Й. Поль, “Получение слоев нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмой осаждения (PECVD) из газовой фазы тетрафторида кремния”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009), 80–83 ; P. G. Sennikov, S. V. Golubev, V. I. Shashkin, D. A. Pryakhin, M. N. Drozdov, B. A. Andreev, Yu. N. Drozdov, A. S. Kuznetsov, H. Pol, “Production of nanocrystalline silicon layers using the plasma enhanced chemical vapor deposition from the gas phase of silicon tetrafluoride”, JETP Letters, 89:2 (2009), 73–75 |
4
|
|
Обратная связь: