|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2007 |
1. |
В. А. Володин, М. Д. Ефремов, Г. А. Качурин, Г. А. Черков, M. Deutschmann, N. Baersch, “Фазовые переходы в пленках $a$-Si:H на стекле при воздействии мощных фемтосекундных импульсов: проявление нелинейных и нетермических эффектов”, Письма в ЖЭТФ, 86:2 (2007), 128–131 ; V. A. Volodin, M. D. Efremov, G. A. Kachurin, A. G. Cherkov, M. Deutschmann, N. Baersch, “Phase transitions in $a$-Si:H films on a glass irradiated by high-power femtosecond pulses: Manifestation of nonlinear and nonthermal effects”, JETP Letters, 86:2 (2007), 119–122 |
18
|
|
2005 |
2. |
В. А. Володин, М. Д. Ефремов, “Электрон-фононное взаимодействие в легированных бором нанокристаллах кремния: влияние интерференции Фано на спектр комбинационного рассеяния света”, Письма в ЖЭТФ, 82:2 (2005), 91–94 ; V. A. Volodin, M. D. Efremov, “Electron-phonon interaction in boron-doped silicon nanocrystals: Effect of Fano interference on the Raman spectrum”, JETP Letters, 82:2 (2005), 86–88 |
12
|
3. |
Д. А. Орехов, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, А. И. Никифоров, В. В. Ульянов, О. П. Пчеляков, “Проявление локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света”, Письма в ЖЭТФ, 81:7 (2005), 415–418 ; D. A. Orekhov, V. A. Volodin, M. D. Efremov, A. I. Nikiforov, V. V. Ul'yanov, O. P. Pchelyakov, “Phonon localization in Ge nanoislands and its manifestation in Raman spectra”, JETP Letters, 81:7 (2005), 331–334 |
8
|
|
2004 |
4. |
М. Д. Ефремов, В. А. Володин, Д. В. Марин, С. А. Аржанникова, С. В. Горяйнов, А. И. Корчагин, В. В. Черепков, А. В. Лаврухин, С. Н. Фадеев, Р. А. Салимов, С. П. Бардаханов, “Видимая фотолюминесценция нанопорошков кремния, созданных испарением кремния мощным электронным пучком”, Письма в ЖЭТФ, 80:8 (2004), 619–622 ; M. D. Efremov, V. A. Volodin, D. V. Marin, S. A. Arzhannikova, S. V. Goryainov, A. I. Korchagin, V. V. Cherepkov, A. V. Lavrukhin, S. N. Fadeev, R. A. Salimov, S. P. Bardakhanov, “Visible photoluminescence from silicon nanopowders produced by silicon evaporation in a high-power electron beam”, JETP Letters, 80:8 (2004), 544–547 |
22
|
5. |
А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, “Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004), 411–415 ; A. V. Dvurechenskii, Zh. V. Smagina, V. A. Zinov'ev, V. A. Armbrister, V. A. Volodin, M. D. Efremov, “Elemental composition of nanoclusters formed by pulsed irradiation with low-energy ions during Ge/Si epitaxy”, JETP Letters, 79:7 (2004), 333–336 |
5
|
|
2003 |
6. |
В. А. Володин, Е. Б. Горохов, М. Д. Ефремов, Д. В. Марин, Д. А. Орехов, “Фотолюминесценция в пленках GeO2, содержащих нанокристаллы германия”, Письма в ЖЭТФ, 77:8 (2003), 485–488 ; V. A. Volodin, Y. B. Gorokhov, M. D. Efremov, D. V. Marin, D. A. Orekhov, “Photoluminescence of GeO$_2$ films containing germanium nanocrystals”, JETP Letters, 77:8 (2003), 411–414 |
17
|
|