|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2012 |
| 1. |
T. N. Mamedov, A. S. Baturin, V. N. Duginov, K. I. Gritsaj, R. Khasanov, A. Maisuradze, A. V. Stoykov, “Relaxation of the Shallow Acceptor Center in Germanium”, Письма в ЖЭТФ, 95:12 (2012), 744–747     ; JETP Letters, 95:12 (2012), 662–665 |
1
|
|
2008 |
| 2. |
М. Балашою, C. Г. Барсов, Д. Бика, Л. Векас, С. И. Воробьев, К. И. Грицай, В. Н. Дугинов, В. А. Жуков, Е. Н. Комаров, В. П. Коптев, С. А. Котов, Т. Н. Мамедов, К. Петреску, Г. В. Щербаков, “Исследование свойств наноструктурированных магнитных систем на основе Fe$_3$O$_4$ $\mu$SR-методом”, Письма в ЖЭТФ, 88:3 (2008), 243–247 ; M. Balasoiu, S. G. Barsov, D. Bica, L. Vekas, S. I. Vorob'ev, K. I. Gritsaj, V. N. Duginov, V. A. Zhukov, E. N. Komarov, V. P. Koptev, S. A. Kotov, T. N. Mamedov, C. Petrescu, G. V. Shcherbakov, “μSR study of the properties of Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>-based nanostructured magnetic systems”, JETP Letters, 88:3 (2008), 210–213 |
6
|
|
2004 |
| 3. |
Т. Н. Мамедов, Д. Андрейка, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах, В. Н. Горелкин, К. И. Грицай, В. А. Жуков, А. В. Стойков, У. Циммерманн, “Влияние одноосного статического давления на поведение акцепторной примеси алюминия в кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004), 385–388 ; T. N. Mamedov, D. Andreica, D. G. Andrianov, D. Herlach, V. N. Gorelkin, K. I. Gritsaj, V. A. Zhukov, A. V. Stoikov, U. Zimmermann, “The effect of uniaxial static pressure on the behavior of an aluminum acceptor impurity in silicon”, JETP Letters, 80:5 (2004), 339–342 |
2
|
|
2001 |
| 4. |
Т. Н. Мамедов, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах, В. Н. Горелкин, К. И. Грицай, В. Н. Дугинов, О. Корманн, Я. Майор, А. В. Стойков, У. Циммерманн, “Релаксация магнитного момента мелкого акцепторного центра в сильно легированном кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 73:12 (2001), 759–762 ; T. N. Mamedov, D. G. Andrianov, D. Herlach, V. N. Gorelkin, K. I. Gritsaj, V. N. Duginov, O. Kormann, J. Major, A. V. Stoikov, U. Zimmermann, “Magnetic moment relaxation of a shallow acceptor center in heavily doped silicon”, JETP Letters, 73:12 (2001), 674–677 |
2
|
|
Обратная связь: