Механизмы роста гетероэпитаксиальных пленок сложных оксидов. Исследование свойств и разработка функциональных устройств наноэлектроники, оптоэлектроники и микроэлектромеханики на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок.
Ю.В. Есипов, В.М. Мухортов, “Интегральные датчики деформации на основе тонких сегнетоэлектрических пленок для мониторинга сложных механических систем”, Журнал технической физики, 79:1 (2009), 82–85
О.М. Жигалина, А.Н. Кускова, А.Л. Чувилин, В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, “Электронная микроскопия высокого разрешения гетероэпитаксиальных пленок титаната бария-стронция на подложках MgO”, Поверхность, 7 (2009), 55–61
С. П. Зинченко, Д. В. Стрюков, А. В. Павленко, В. М. Мухортов, “Влияние подслоя Ba$_{0.2}$Sr$_{0.8}$TiО$_{3}$ на структуру и электрофизические характеристики пленок цирконата-титаната свинца на подложке Si(001)”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020), 41–44; S. P. Zinchenko, D. V. Stryukov, A. V. Pavlenko, V. M. Mukhortov, “The effect of a Ba$_{0.2}$Sr$_{0.8}$TiО$_{3}$ sublayer on the structure and electric characteristics of lead zirconate titanate films on the Si(001) substrate”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1196–1199
А. С. Анохин, Ю. И. Головко, В. М. Мухортов, Д. В. Стрюков, “Структура и динамика решетки двухслойных гетероструктур титаната бария-стронция и слоистого титаната висмута разной толщины на подложке окcида магния”, Физика твердого тела, 61:11 (2019), 2178–2182; A. S. Anokhin, Yu. I. Golovko, V. M. Mukhortov, D. V. Stryukov, “Lattice structure and dynamics of two-layer heterostructures of barium–strontium titanate and layered bismuth titanate of various thicknesses on a magnesium oxide substrate”, Phys. Solid State, 61:11 (2019), 2155–2159
А. С. Анохин, С. В. Бирюков, Ю. И. Головко, В. М. Мухортов, “Структурные и электрические характеристики двухслойных тонких пленок Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$/(Ba,Sr)TiO$_{3}$, осажденных на кремниевую подложку методом высокочастотного распыления при повышенных давлениях кислорода”, Физика твердого тела, 61:2 (2019), 278–283; A. S. Anokhin, S. V. Birukov, Yu. I. Golovko, V. M. Mukhortov, “Structural and electric characteristics of two-layer Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$/(Ba,Sr)TiO$_{3}$ thin films deposited on a silicon substrate by radio-frequency sputtering at increased oxygen pressures”, Phys. Solid State, 61:2 (2019), 139–144
В. М. Мухортов, Ю. И. Головко, А. В. Павленко, Д. В. Стрюков, С. В. Бирюков, А. П. Ковтун, С. П. Зинченко, “Особенности эффекта поля в структуре металл–сегнетоэлектрик–полупроводник при использовании многослойных сегнетоэлектрических пленок с различными структурными типами”, Физика твердого тела, 60:9 (2018), 1741–1747; V. M. Mukhortov, Yu. I. Golovko, A. V. Pavlenko, D. V. Stryukov, S. V. Birukov, A. P. Kovtun, S. P. Zinchenko, “The field effect in a metal–ferroelectric–semiconductor system of multilayer ferroelectric films with various structure types”, Phys. Solid State, 60:9 (2018), 1786–1792
Д. В. Стрюков, В. М. Мухортов, Ю. И. Головко, С. В. Бирюков, “Особенности сегнетоэлектрического состояния в двухслойных гетероструктурах на основе титаната бария-стронция”, Физика твердого тела, 60:1 (2018), 113–117; D. V. Stryukov, V. M. Mukhortov, Yu. I. Golovko, S. V. Birukov, “Specific features of the ferroelectric state in two-layer barium strontium titanate-based heterostructures”, Phys. Solid State, 60:1 (2018), 115–119
А. В. Павленко, Д. В. Стрюков, В. М. Мухортов, С. В. Бирюков, “Cтруктура и релаксация поляризованного состояния в тонких пленках Ba$_{0.5}$Sr$_{0.5}$Nb$_{2}$O$_{6}$ на подложке (001) Si”, ЖТФ, 88:3 (2018), 418–421; A. V. Pavlenko, D. V. Stryukov, V. M. Mukhortov, S. V. Birukov, “Structure and polarization relaxation of Ba$_{0.5}$Sr$_{0.5}$Nb$_{2}$O$_{6}$Si films”, Tech. Phys., 63:3 (2018), 407–410
Д. П. Павлов, И. И. Пиянзина, В. М. Мухортов, А. М. Балбашов, Д. А. Таюрский, И. А. Гарифуллин, Р. Ф. Мамин, “Двумерный электронный газ на границе сегнетоэлектрика Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$ и антиферромагнетика LaMnO$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 106:7 (2017), 440–444; D. P. Pavlov, I. I. Piyanzina, V. M. Mukhortov, A. M. Balbashov, D. A. Tayurskii, I. A. Garifullin, R. F. Mamin, “Two-dimensional electron gas at the interface of Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$ ferroelectric and LaMnO$_3$ antiferomagnet”, JETP Letters, 106:7 (2017), 460–464
А. С. Анохин, А. Г. Разумная, Ю. И. Юзюк, Ю. И. Головко, В. М. Мухортов, “Фазовые переходы в пленках титаната бария-стронция на подложках MgO различной ориентации”, Физика твердого тела, 58:10 (2016), 1956–1963; A. S. Anokhin, A. G. Razumnaya, Yu. I. Yuzyuk, Yu. I. Golovko, V. M. Mukhortov, “Phase transitions in barium–strontium titanate films on MgO substrates with various orientations”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 2027–2034
Ю. В. Есипов, В. М. Мухортов, С. В. Бирюков, А. А. Маматов, С. И. Масычев, “Модифицированные соотношения для расчета диэлектрической проницаемости наноразмерных пленок титаната бария–стронция”, ЖТФ, 86:8 (2016), 102–106; Yu. V. Esipov, V. M. Mukhortov, S. V. Birukov, A. A. Mamatov, S. I. Masychev, “Modified relations for calculating the dielectric constant of barium–strontium titanate nanofilms”, Tech. Phys., 61:8 (2016), 1220–1224
В. М. Мухортов, Ю. И. Головко, С. В. Бирюков, А. С. Анохин, Ю. И. Юзюк, “Влияние механизмов роста на деформацию элементарной ячейки и переключение поляризации в гетероструктурах титаната бария–стронция на оксиде магния”, ЖТФ, 86:1 (2016), 93–98; V. M. Mukhortov, Yu. I. Golovko, S. V. Birukov, A. S. Anokhin, Yu. I. Yuzyuk, “Effect of growth mechanisms on the deformation of a unit cell and polarization reversal in barium–strontium titanate heterostructures on magnesium oxide”, Tech. Phys., 61:1 (2016), 91–96
В. М. Мухортов, Ю. И. Головко, Ю. И. Юзюк, “Гетероэпитаксиальные пленки мультиферроика феррита висмута, допированного неодимом”, УФН, 179:8 (2009), 909–913; V. M. Mukhortov, Yu. I. Golovko, Yu. I. Yuzyuk, “Heteroepitaxial thin flms of multiferroic neodymium-doped bismuth ferrite”, Phys. Usp., 52:8 (2009), 856–860
В. М. Мухортов, Г. Н. Толмачев, А. И. Мащенко, А. Н. Клевцов, “Свойства емкостного поперечного ВЧ разряда повышенного давления
кислорода, используемого при получении тонких пленок сложного оксида”, ЖТФ, 62:5 (1992), 22–28
1988
13.
В. М. Мухортов, Я. С. Никитин, И. Н. Захарченко, М. Г. Радченко, Ю. И. Головко, В. П. Дудкевич, “Фазовые переходы в гетероэпитаксиальных сегнетоэлектрических пленках
(Ва, Sr)TiO$_{3}/$(001)MgO”, ЖТФ, 58:7 (1988), 1449–1452
1986
14.
В. М. Мухортов, Я. С. Никитин, М. Г. Радченко, В. А. Алешин, Ю. И. Головко, В. П. Дудкевич, “О связи между размерами кристаллитов, параметрами элементарных ячеек
и диэлектрическими свойствами сегнетоэлектрических пленок
(Ва, Sr)TiO$_{3}$”, ЖТФ, 56:7 (1986), 1372–1376
1985
15.
В. П. Дудкевич, Е. Г. Фесенко, Е. В. Свиридов, В. М. Мухортов, “Сегнетоэлектрические свойства тонких пленок
Pb(Zr,Ti)O$_{3}$, полученных ВЧ катодным распылением”, ЖТФ, 55:5 (1985), 959–961
16.
В. М. Мухортов, В. П. Дудкевич, С. В. Толстоусов, Э. Н. Мясников, “Процессы, приводящие к эффекту памяти в структуре
сегнетоэлектрическая пленка–монокристалл кремния”, ЖТФ, 55:1 (1985), 127–130
1984
17.
К. В. Беленов, Е. А. Голобородько, О. Э. Завадовский, Ю. А. Концевой, В. М. Мухортов, Ю. С. Тиходеев, “Исследование свойств структур
Si$-$Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$”, ЖТФ, 54:9 (1984), 1782–1786
1983
18.
В. А. Алешин, Вас. М. Мухортов, Ю. И. Головко, Вл. М. Мухортов, А. Т. Пиралова, В. П. Дудкевич, Е. Г. Фесенко, “Доменное строение гетероэпитаксиальных сегнетоэлектрических пленок Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$, полученных ВЧ катодным распылением”, Физика твердого тела, 25:2 (1983), 612–614
19.
Е. В. Свиридов, В. М. Мухортов, Ю. И. Головко, И. Н. Захарченко, В. П. Дудкевич, Е. Г. Фесенко, “Гетероэпитаксиальные сегнетоэлектрические пленки PbTiO$_{3}$, полученные
ВЧ катодным распылением”, Письма в ЖТФ, 9:3 (1983), 163–166
Обратная связь: