|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
В. Т. Долгополов, М. Ю. Мельников, А. А. Шашкин, С. В. Кравченко, “Уплощение зон и слияние уровней Ландау в сильно коррелированных двумерных электронных системах (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022), 159–170  ; V. T. Dolgopolov, M. Yu. Melnikov, A. A. Shashkin, S. V. Kravchenko, “Band flattening and Landau level merging in strongly-correlated two-dimensional electron systems”, JETP Letters, 116:3 (2022), 156–166 |
1
|
|
2018 |
| 2. |
В. Т. Долгополов, М. Ю. Мельников, А. А. Шашкин, С. Х. Хванг, Ц. В. Лиу, С. В. Кравченко, “Дробный квантовый эффект Холла в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe в слабых квантующих магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018), 819–822  ; V. T. Dolgopolov, M. Yu. Melnikov, A. A. Shashkin, S.-H. Huang, C. W. Liu, S. V. Kravchenko, “Fractional quantum Hall effect in SiGe/Si/SiGe quantum wells in weak quantizing magnetic fields”, JETP Letters, 107:12 (2018), 794–797   |
4
|
| 3. |
M. Yu. Melnikov, A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, G. Biasiol, S. Roddaro, L. Sorba, “Classical effects in the weak-field magnetoresistance of InGaAs/InAlAs quantum wells”, Письма в ЖЭТФ, 107:5 (2018), 338–339 ; JETP Letters, 107:5 (2018), 320–323 |
1
|
|
2015 |
| 4. |
A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, J. W. Clark, V. R. Shaginyan, M. V. Zverev, V. A. Khodel, “Interaction-induced merging of Landau levels in an electron system of double quantum wells”, Письма в ЖЭТФ, 102:1 (2015), 40–44 ; JETP Letters, 102:1 (2015), 36–40 |
5
|
|
2014 |
| 5. |
M. Yu. Mel'nikov, A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, S. V. Kravchenko, S.-H. Huang, S. W. Liu, “The effective electron mass in high-mobility SiGe/Si/SiGe quantum wells”, Письма в ЖЭТФ, 100:2 (2014), 122–127 ; JETP Letters, 100:2 (2014), 114–119 |
15
|
|
2012 |
| 6. |
V. T. Dolgopolov, A. A. Shashkin, “Polarization field in a single-valley strongly-interacting 2D electron system”, Письма в ЖЭТФ, 95:11 (2012), 648–652 ; JETP Letters, 95:11 (2012), 570–574 |
4
|
|
2005 |
| 7. |
А. А. Шашкин, “Переходы металл–диэлектрик и эффекты электрон-электронного взаимодействия в двумерных электронных системах”, УФН, 175:2 (2005), 139–161 ; A. A. Shashkin, “Metal–insulator transitions and the effects of electron–electron interactions in two-dimensional electron systems”, Phys. Usp., 48:2 (2005), 129–149 |
101
|
|
2002 |
| 8. |
E. V. Deviatov, A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, H.-J. Kutschera, A. Wixforth, K. L. Campman, A. C. Gossard, “Shifting the quantum Hall plateau level in a double layer electron system”, Письма в ЖЭТФ, 75:1 (2002), 36–38 ; JETP Letters, 75:1 (2002), 34–36 |
1
|
|
2000 |
| 9. |
Э. В. Девятов, А. А. Шашкин, В. Т. Долгополов, В. Хансен, М. Холланд, “Туннельные измерения кулоновской псевдощели в двумерной электронной системе в квантующем магнитном поле (Сессия РАН 24.11.1999)”, УФН, 170:3 (2000), 327–331 ; È. V. Devyatov, A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, W. Hansen, M. Halland, “Tunneling measurements of the Coulomb pseudogap in a two-dimensional electron system in a quantizing magnetic field”, Phys. Usp., 43:3 (2000), 285–288 |
4
|
|
1998 |
| 10. |
В. Т. Долгополов, А. А. Шашкин, А. В. Аристов, Д. Шмерек, В. Хансен, Й. П. Коттхаус, М. Холланд, “Нелинейная экранировка, спиновая и циклотронная щели для двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs гетеропереходах”, УФН, 168:2 (1998), 147–150 ; V. T. Dolgopolov, A. A. Shashkin, A. V. Aristov, D. Schmerek, W. Hansen, J. P. Kotthaus, M. Halland, “Nonlinear screening, and spin and cyclotron gaps in the 2D electron gas of GaAs/AlGaAs heterojunctions”, Phys. Usp., 41:2 (1998), 138–141 |
2
|
|
Обратная связь: