Научная биография: |
Дижур, Евгений Михайлович.
Туннельная спектроскопия полупроводников с тетраэдрическими связями $Ge$ и $GaAs$ под давлением до 3 ГПа : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 01.04.07 / АН СССР. Ин-т физ. высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина. - Троицк, 1991. - 154 с. : ил.
Дижур, Евгений Михайлович.
Эффекты локализации и межэлектронного взаимодействия при переходе двумерной системы к диэлектрическому состоянию : дис. ... докт. физ.-матем. наук : 01.04.07; [Место защиты: Ин-т физики высоких давлений РАН им. Л.Ф. Верещагина]. - Троицк, 2006. - 207 с. : ил. |
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2009 |
| 1. |
Е. М. Дижур, И. Е. Костылева, А. Н. Вороновский, С. В. Зайцев-Зотов, “Нелинейная проводимость NbS$_3$ в металлической фазе высокого давления”, Письма в ЖЭТФ, 90:5 (2009), 379–381  ; E. M. Dizhur, I. E. Kostyleva, A. N. Voronovskii, S. V. Zaitsev-Zotov, “Nonlinear conductivity of NbS$_3$ in a high-pressure metallic phase”, JETP Letters, 90:5 (2009), 336–338   |
2
|
|
2008 |
| 2. |
Е. М. Дижур, В. А. Вентцель, А. Н. Вороновский, “Квантовый транспорт при высоких давлениях”, УФН, 178:10 (2008), 1111–1118 ; E. M. Dizhur, V. A. Venttsel, A. N. Voronovskii, “Quantum transport at high pressures”, Phys. Usp., 51:10 (2008), 1070–1077 |
1
|
|
2007 |
| 3. |
Е. М. Дижур, М. А. Ильина, С. В. Зайцев-Зотов, “Переход металл – диэлектрик в нитевидных кристаллах квазиодномерного проводника NbS$_3$ под давлением”, Письма в ЖЭТФ, 86:2 (2007), 141–143 ; E. M. Dizhur, M. A. Il'ina, S. V. Zaitsev-Zotov, “Metal-insulator transition in whiskers of the NbS$_3$ quasi-one-dimensional conductor under pressure”, JETP Letters, 86:2 (2007), 132–134 |
14
|
|
2004 |
| 4. |
Е. М. Дижур, А. Н. Вороновский, А. В. Федоров, И. Н. Котельников, С. Е. Дижур, “Переход приповерхностного $\delta$-слоя туннельной структуры Al/$\delta$(Si)–GaAs в диэлектрическое состояние под давлением”, Письма в ЖЭТФ, 80:6 (2004), 489–492 ; E. M. Dizhur, A. N. Voronovskii, A. V. Fedorov, I. N. Kotel’nikov, S. E. Dizhur, “Transition of the near-surface $\delta$ layer in an Al/$\delta$(Si)–GaAs tunnel structure to the insulating state under pressure”, JETP Letters, 80:6 (2004), 433–435 |
10
|
|
Обратная связь: