|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. Н. Алёшин, Н. В. Зенченко, О. А. Рубан, “Численное моделирование вольт-амперной характеристики биполярного мемристора на основе оксида гафния”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 39–42   ; A. N. Aleshin, N. V. Zenchenko, O. A. Ruban, “Numerical simulation of the current–voltage characteristic of a bipolar hafnium-oxide memristor”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 636–640 |
4
|
|
2019 |
| 2. |
А. Н. Алешин, А. С. Бугаев, О. А. Рубан, В. В. Сарайкин, Н. Ю. Табачкова, И. В. Щетинин, “Энергетические затраты при формировании упругонапряженного состояния в слоях ступенчатого метаморфного буфера в гетероструктуре, выращенной на подложке (001) GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1086–1094 ; A. N. Aleshin, A. S. Bugaev, O. A. Ruban, V. V. Saraikin, N. Yu. Tabachkova, I. V. Shchetinin, “Energy expenditure upon the formation of the elastically stressed state in the layers of a step-graded metamorphic buffer in a heterostructure grown on a (001) GaAs substrate”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1066–1074 |
|
2017 |
| 3. |
А. Н. Алешин, А. С. Бугаев, О. А. Рубан, Н. Ю. Табачкова, И. В. Щетинин, “Сравнительный анализ деформационных полей в слоях метаморфных ступенчатых буферов различного дизайна”, Физика твердого тела, 59:10 (2017), 1956–1963 ; A. N. Aleshin, A. S. Bugaev, O. A. Ruban, N. Yu. Tabachkova, I. V. Shchetinin, “Comparative analysis of strain fields in layers of step-graded metamorphic buffers of various designs”, Phys. Solid State, 59:10 (2017), 1978–1986 |
|
2016 |
| 4. |
А. Н. Алёшин, “Кинетические константы аномального роста зерен в нанокристаллическом никеле”, Физика твердого тела, 58:2 (2016), 401–408 ; A. N. Aleshin, “Kinetic constants of abnormal grain growth in nanocrystalline nickel”, Phys. Solid State, 58:2 (2016), 413–420 |
4
|
|
Обратная связь: