Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 13, страницы 39–42
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.13.51121.18415 (Mi pjtf4749) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Численное моделирование вольт-амперной характеристики биполярного мемристора на основе оксида гафния

А. Н. Алёшин, Н. В. Зенченко, О. А. Рубан

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
PDF полного текста (266 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.13.51121.18415
Аннотация: Разработана конечно-элементная модель, позволяющая рассчитывать вольт-амперную характеристику биполярного мемристора на основе оксида гафния Pt/HfO$_{2}$/TiN, которая отражает как высокоомное, так и низкоомное состояние мемристора. Математическим базисом модели явились уравнения Максвелла для стационарного случая. Модель позволяет оценивать связь свойств материалов, входящих в конструкцию мемристора, с его рабочим током.
Ключевые слова: биполярный мемристор, оксид гафния, метод конечных элементов, моделирование.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-29-03003 МК
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 19-29-03003 МК).
Поступила в редакцию: 06.06.2020
Исправленный вариант: 22.03.2021
Принята в печать: 06.04.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 9, Pages 636–640
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021070026
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Алёшин, Н. В. Зенченко, О. А. Рубан, “Численное моделирование вольт-амперной характеристики биполярного мемристора на основе оксида гафния”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 39–42; Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 636–640
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleZenRub21}
\by А.~Н.~Алёшин, Н.~В.~Зенченко, О.~А.~Рубан
\paper Численное моделирование вольт-амперной характеристики биполярного мемристора на основе оксида гафния
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 13
\pages 39--42
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4749}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.13.51121.18415}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46321850}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 9
\pages 636--640
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021070026}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4749
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i13/p39
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024