Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Петухов Андрей Александрович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 1
Научных статей: 1

Статистика просмотров:
Эта страница:72
Страницы публикаций:44
Полные тексты:13
кандидат физико-математических наук (2013)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)

Научная биография:

Петухов, Андрей Александрович. Высокотемпературные светодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур соединений $A_3B_5$ : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10; [Место защиты: Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН]. - Санкт-Петербург, 2013. - 192 с. : ил.


https://www.mathnet.ru/rus/person194073
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=854678

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2016
1. Л. В. Данилов, А. А. Петухов, М. П. Михайлова, Г. Г. Зегря, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  794–800  mathnet  elib; L. V. Danilov, A. A. Petukhov, M. P. Mikhailova, G. G. Zegrya, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Features of high-temperature electroluminescence in an LED $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb heterostructure with high potential barriers”, Semiconductors, 50:6 (2016), 778–784 3

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024